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포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 페로브스카이트 나노입자 박막을 형성하는 제1 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴의 포토레지스트를 리프트-오프(lift-off)함으로써 페로브스카이트 나노입자 박막의 패턴을 형성하는 제2 단계를 포함하고,상기 제2 단계에서 상기 리프트-오프용 용매로 탄소수 1 내지 3의 알킬아세테이트를 사용하는 것을 특징으로 하는, 포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 알킬아세테이트는 메틸아세테이트인 것을 특징으로 하는,포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트는 아세테이트 계열의 화합물을 포함하는 것인,포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 제1 단계는 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅 및 롤투롤(roll-to-roll) 프린팅 중에서 선택된 어느 하나의 용액 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는,포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는 5 내지 30초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 나노입자는 하기 화학식 1의 Pb 계 페로브스카이트 나노입자인 것을 특징으로 하는,포토리소그래피에 의한 페로브스카이트 나노입자 박막의 패터닝 방법:[화학식 1]ABX3 상기 화학식 1에서, A는 Rb, Cs, Fr, CH3NH3+, NR4+ (여기서, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이고 R은 서로 상이하거나 동일할 수 있다), [CH(NH2)2]+, 또는 이들의 조합이고,B는 Pb이고, X는 Cl, Br, I, 또는 이들의 조합이다
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