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반도체 기판; 상기 반도체 기판 위에 형성되는 이차원 반도체 물질; 측정 대상인 타겟 바이오 물질과 결합되는 수용체가 고정되고 상기 형성된 이차원 반도체 물질과 이종 접합 채널이 형성되도록 상기 반도체 기판 위에 형성되는 그래핀; 상기 이차원 반도체 물질과 연결되도록 형성되는 제1 전극; 및 상기 그래핀과 연결되도록 형성되는 제2 전극을 포함하는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 형성된 이종 접합 채널에 추가로 형성되는 제3 전극을 더 포함하는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀 사이에 쇼트키 장벽이 형성되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀이 이종 접합 채널에서 접해지는 접합 비율이 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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5 |
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제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀이 이종 접합 채널에서 겹쳐지는 면적이 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 상기 이차원 반도체 물질의 소재 두께가 밴드갭이 가장 크도록 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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7
제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 전이 금속 칼코겐화합물(Transition Metal Dichalcogenide, TMD)인, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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8
제1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질이 몰리브덴 디설파이드(Molybdenum disulfide, MoS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(Tungsten diselenide, WSe2)인 경우, 상기 이차원 반도체 물질은 밴드갭이 가장 큰 모노레이어로 형성되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 그래핀은, 도핑 또는 산화 반응의 공유 결합 기능화를 통해 상기 타겟 바이오 물질과 결합되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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제1항에 있어서, 상기 그래핀은, 파이-파이 상호작용(pi-pi interaction), 그래핀 방향족 링커(graphene aromatic linker), 소수성 스태킹(hydrophobic stacking) 및 정전식 상호작용(electrostatic interaction) 중에서 어느 하나의 비공유 결합 기능화를 통해 상기 타겟 바이오 물질과 결합되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서
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반도체 기판을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 위에 이차원 반도체 물질을 형성하는 단계; 측정 대상인 타겟 바이오 물질과 결합되는 수용체가 고정되고 상기 형성된 이차원 반도체 물질과 이종 접합 채널이 형성되도록 상기 반도체 기판 위에 그래핀을 형성하는 단계; 상기 이차원 반도체 물질과 연결되도록 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀과 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 형성된 이종 접합 채널에 추가로 제3 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀 사이에 쇼트키 장벽이 형성되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀이 이종 접합 채널에서 접해지는 접합 비율이 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질과 상기 그래핀이 이종 접합 채널에서 겹쳐지는 면적이 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 상기 이차원 반도체 물질의 소재 두께가 밴드갭이 가장 크도록 조절되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은, 전이 금속 칼코겐화합물(Transition Metal Dichalcogenide, TMD)인, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질이 몰리브덴 디설파이드(Molybdenum disulfide, MoS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(Tungsten diselenide, WSe2)인 경우, 상기 이차원 반도체 물질은 밴드갭이 가장 큰 모노레이어로 형성되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 그래핀은, 도핑 또는 산화 반응의 공유 결합 기능화를 통해 상기 타겟 바이오 물질과 결합되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 그래핀은, 파이-파이 상호작용(pi-pi interaction), 그래핀 방향족 링커(graphene aromatic linker), 소수성 스태킹(hydrophobic stacking) 및 정전식 상호작용(electrostatic interaction) 중에서 어느 하나의 비공유 결합 기능화를 통해 상기 타겟 바이오 물질과 결합되는, 이종 접합 채널을 이용한 바이오 센서 제조 방법
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