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계면활성제 및 실리카 전구체를 혼합하여, 메조다공성 필름 조성물을 제조하는 단계;상기 메조다공성 필름 조성물을 기판 위에 코팅하는 단계; 상기 결과물을 에이징(aging)하여 실리카 주형 복합체를 형성하는 단계;상기 실리카 주형 복합체 내부의 계면활성제를 제거하여, 메조다공성 물질을 제조하는 단계; 및상기 메조다공성 물질의 채널에 금속을 내포시키는 단계;를 포함하는 나노와이어 그리드 편광자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 메조다공성 필름 조성물을 코팅하기 전 상기 기판을 러빙(rubbing)에 의한 배향처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 배향처리 단계는 상기 기판 위에 폴리이미드 필름을 형성하는 단계; 및 상기 폴리이미드 필름의 표면을 일 방향으로 러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름을 형성하는 단계는 폴리이미드 전구체를 기판 위에 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 폴리이미드 전구체를 열처리함으로써 이미드화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 실리카 주형 복합체는 상기 러빙 방향과 수직한 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 위에 코팅된 결과물을 전단(shearing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 메조다공성 필름 조성물은 스핀 코팅, 딥 코팅 또는 바 코팅에 의하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서 상기 계면활성제는 폴리(알킬렌 옥사이드) 삼중공중합체(poly(alkylene oxide) triblock copolymer)인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서 상기 실리카 전구체는 테트라에틸오르토실리케이트(tetraethylorthosilicate: TEOS), 테트라메틸오르토실리케이트(tetramethylorthosilicate: TMOS), 테트라부틸오르토실리케이트(tetrabutyl orthosilicate: TBOS) 및 테트라클로로 실란(SiCl4)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 메조다공성 물질의 채널은 측면으로 배열되어(laterally aligned) 육방 배열(hexagonal array) 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 계면활성제가 소성 또는 산처리에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 편광자의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 소성은 350℃ 내지 500℃에서 30 분 내지 10시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 편광자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄, 은, 금, 구리 또는 니켈 중에서 하나 이상 선택되는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속은 무전해 도금(electroless plating), 환원(chemical reduction), 금속 성장법(metal amplification) 또는 전착법(electrodeposition) 중 어느 하나를 이용하여 메조다공성 물질의 채널 내부에 도입되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의하여 제조된 나노와이어 그리드 편광자
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