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중합체비드 표면을 이온화 개질시키는 제1단계;개질된 중합체비드에 이온을 흡착시키는 제2단계;흡착된 이온을 환원시키는 제3단계; 및 환원된 이온층 상에 금속층을 이온결합으로 형성시키는 제4단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제1단계에서의 이온화 개질은, 술폰기, 카르복실기, 아민기, 하이드록실기, 사이올기, 포스페이트기 중 선택된 관능기를 중합체비드 표면에 결합시킴으로써 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 이온화 개질로서 술폰기를 결합시키는 것은, 클로로술폰산, 술폰산, 또는 아세틱 술파이드를 중합체 표면에 반응시켜 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서의 이온흡착은 이온개질된 중합체 비드에 팔라듐 화합물 용액을 함침시켜 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 팔라듐 화합물은, 팔라듐(II)나이트레이트하이드레이트, 팔라듐(II)옥사이드, 팔라듐(II)옥사이드하이드레이트, 팔라듐(II)포타슘사이오설페이트모노하이드레이트, 팔라듐(II)프로페이오네이트, 팔라듐(II)소듐클로라이드, 팔라듐(II)설페이트, 팔라듐(II)트리플루오로아세테이트, 포타슘테트라클로로팔라데이트(II), 소듐테트라브로모팔라데이트(II), 소듐테트라브로모팔라데이트(II)하이드레이트, 포타슘 헥사클로로팔라데이트(IV), 소듐테트라클로로팔라데이트(II)로 이루어지는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제3단계에서의 흡착된 이온의 환원은, 소듐보로하이드라이드, 하이드라진, 소듐설페이트, 아황산염, 황화나트륨, 철이온, 리튬 알루미늄 하이드라이드, 리튬 하이드라이드, 디아이소부틸알루미늄 하이드라이드, 옥살릭엑시드, 린들라촉매로 이루어지는 군에서 선택된 환원제를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제4단계에서의 금속층의 형성은 개질된 표면 이온 상태에 따라 양이온 또는 음이온으로 해리될 수 있는 금속 화합물을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제4단계에서의 금속층은, 니켈, 금, 은, 구리, 팔라듐, 철, 아연, 주석, 크롬, 마그네슘, 백금, 인듐 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제4단계에서의 금속층의 형성은, 니켈층을 형성한 후, 형성된 니켈층 상에 금 층을 형성하는 것임을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 니켈 층의 형성은, 니켈(II)아세테이트 테트라하이드라이트, 니켈(II) 아세틸아세토네이트, 니켈(II)비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5 헵탄다이오네이트), 니켈(II) 브로마이드, 니켈(II) 브로마이드 하이드레이트, 니켈(II) 브로마이드-에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 화합물, 니켈(II) 카보네이트 하이드록사이드 테트라하이드레이트, 니켈(II)클로라이드, 니켈(II)클로라이드 헥사하이드레이트, 니켈(II) 클로라이드 하이드레이트, 니켈(II) 사이클로헥산부틸레이트, 니켈(II) 2-에틸헥산노에이트, 니켈(II) 플로라이드, 니켈(II) 플로라이드 테트라하이드레이트, 니켈(II) 헥사플로로아세틸아세토네이트 하이드레이트, 니켈(II)하이록사이드, 니켈(II) 아이오다이드, 니켈(II)몰리브데이트, 니켈(II) 나이트레이트 헥사하이드레이트, 니켈(II) 5,9,14,18,23,27,32,36-옥타부톡시-2,3-나프탈로사이아닌, 니켈(II) 옥타노에이트 하이드레이트, 니켈(II)옥사이드, 니켈(II) 퍼옥사이드 하이드레이트, 니켈(II) 포스파이드, 니켈(II) 시트레이트, 니켈(II) 설파메이트 테트라하이드레이트, 니켈(II)설페이트 헥사하이드레이트, 니켈(II) 설페이트 헵타하이드레이트, 니켈(III) 옥사이드, 니켈(III) 하이드록사이드, 포타슘 니켈(IV) 플루오라이드 및 니켈(II),(III) 사이올레이트 화합물 로 이루어지는 군에서 선택된 니켈화합물을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금 층의 형성은, 골드(III) 브로마이드 하이드레이트, 골드(I) 클로라이드, 골드(III) 클로라이드, 골드(III) 클로라이드 트리하이드레이트, 골드(I) 사이어네이드, 골드(III) 하이드록사이드, 골드(I) 아이어다이드, 골드(III) 옥사이드 하이드레이트, 골드(I) 설파이드, 골드(III) 설파이드, 포타슘 테트라브로모아우레이트, 소듐 테트라브로모아우레이트(III) 하이드레이트, 소듐테트라클로로아우레이트(III) 디하이드레이트, 소듐 테트라아우레이트(III) 하이드레이트, 포타슘 골드(III) 클로라이드, 리튬 테트라클로로아우레이트(III), 소듐 테트라브로모아우레이트(III) 하이드레이트 및 포타슘 테트라아이오도아우레이트(III)로 이루어지는 군에서 선택된 금 용액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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중합체비드 표면을 술폰기로 직접 술폰화시켜 개질하는 제1단계; 개질된 중합체비드에 팔라듐 이온을 흡착시키는 제2단계; 중합체비드에 흡착된 팔라듐 이온을 환원시키는 제3단계;팔라듐이 코팅된 중합체비드 표면에 니켈 층을 형성하는 제4단계; 및 니켈 층이 형성된 중합체비드 표면에 금 층을 형성시키는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 볼의 제조 방법
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중합체 비드와, 중합체 비드 표면에 이온결합으로 형성된 니켈 층, 니켈 층상에 형성된 금 층을 포함하여 이루어진 구조의 도전성 볼로서, 상기 니켈 층 및 금 층은 나노입자 적층 형태이며, 나노입자의 선택적 표면형성에 의하여 라스베리형 모폴로지를 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 볼
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