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투명기판, 제1투명전극, 전자수송층, 페로브스카이트 광흡수층, 제1정공수송층, 제2정공수송층 및 제2투명전극이 순차적으로 적층되고,상기 제1정공수송층은 유기물을 포함하고, 상기 제2정공수송층은 무기물을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1투명전극 및 상기 제2투명전극은 서로 독립적으로, ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZO(indium zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) 및 IGZO(indium gallium zinc oxide) 중 1종 이상을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전자수송층은 플러렌 및 플루렌 유도체 중 1종 이상을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 유기물은 2,2',7,7'-테트라키스[N,N-디(4-메톡시페닐)아미노]-9,9'-스피로바이플루오렌(spiro-OMeTAD), 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실-4H-사이클로펜타[2,1-b:3,4-b']디티오펜-2,6-디일)]](PCPDTBT), 폴리[[9-(1-옥틸노닐)-9H-카바졸-2,7-디일]-2,5-티오펜디일-2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일-2,5-티오펜디일](PCDTBT) 및 폴리(비스(4-페닐)(2,4,6-트리메틸페닐)아민)(PTAA) 중 1종 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 무기물은 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물 및 니켈 산화물 중 1종 이상을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 무기물은 텅스텐 산화물을 포함하고, 상기 텅스텐 산화물은 입자크기(particle size)가 11 nm 내지 21 nm인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제2정공수송층의 두께는 32 nm 내지 54 nm인, 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1정공수송층과 상기 제2정공수송층이 직접(directly) 접촉되고,상기 제2정공수송층과 제2투명전극이 직접 접촉되는, 페로브스카이트 태양전지
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투명기판 상에 제1투명전극을 형성하는 단계;제1투명전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 제1정공수송층을 형성하는 단계;상기 제1정공수송층 상에 제2정공수송층을 형성하는 단계; 및상기 제2정공수송층 상에 제2투명전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 제1정공수송층은 유기물을 포함하고, 상기 제2정공수송층은 무기물을 포함하는, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제2정공수송층 형성 단계는 용액 공정을 통해 제2정공수송층을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제2정공수송층 형성 단계는 용매 중에 입자크기가 11 nm 내지 21 nm인 텅스텐 산화물이 분산된 전구체 용액을 제1정공수송층 상에 도포 및 건조하는 단계를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제2투명전극 형성 단계는 진공 스퍼터링 공정을 통해 제2투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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