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하부 실리콘층, 상기 하부 실리콘층 상의 상부 실리콘층 및 상기 하부 실리콘층과 상기 상부 실리콘층 사이의 매립 산화물층을 포함하는 기판; 및상기 상부 실리콘층의 상면으로부터 수직 방향으로 돌출되는 스트립 구조를 포함하되,상기 스트립 구조의 측벽은 라운드진(rounded) 형상을 갖고,상기 스트립 구조의 상기 측벽의 거칠기(line edge roughness; LER)는 5 nm 이하인 광 도파로
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제 1 항에 있어서,상기 상부 실리콘층은 상기 매립 산화물층 상의 제1 부분 및 상기 제1 부분으로부터 상기 수직 방향으로 돌출된 제2 부분을 포함하되,상기 제2 부분의 폭은 상기 제1 부분의 폭보다 작은 광 도파로
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제 2 항에 있어서,상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 작은 광 도파로
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제 2 항에 있어서,상기 스트립 구조의 상기 측벽은 상기 제2 부분의 측벽과 단차 없이 연결되는 광 도파로
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제 2 항에 있어서,상기 스트립 구조의 굴절률은 상기 상부 실리콘층의 굴절률보다 작은 광 도파로
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제 1 항에 있어서,상기 상부 실리콘층과 상기 스트립 구조 사이의 절연 패턴을 더 포함하는 광 도파로
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제 6 항에 있어서,상기 스트립 구조는 불순물이 도핑된 실리콘을 포함하고,상기 절연 패턴은 폴리머, 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiN) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광 도파로
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제 6 항에 있어서,상기 절연 패턴의 두께는 상기 상부 실리콘층의 두께 및 상기 스트립 구조의 두께보다 작은 광 도파로
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제 6 항에 있어서,상기 스트립 구조의 상기 측벽은 상기 절연 패턴의 측벽과 단차 없이 연결되는 광 도파로
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제 1 항에 있어서,상기 스트립 구조는 열 가소성 수지 계열의 폴리머, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 산질화물(SiON), BPSG(Borophosphosilicate Glass), PSG(Phosphosilicate Glass), 결정질 실리콘(crystalline silicon), 폴리 실리콘(poly silicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon), 실리콘-저마늄(SiGe) 및 불순물이 도핑된 실리콘(doped silicon) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광 도파로
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하부 실리콘층, 상기 하부 실리콘층 상의 상부 실리콘층 및 상기 하부 실리콘층과 상기 상부 실리콘층 사이의 매립 산화물층을 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 기판 상에 스트립 물질층을 형성하는 것;상기 스트립 물질층 상에 마스크 패턴을 형성하는 것;상기 마스크 패턴을 통해 상기 스트립 물질층을 패터닝하여 스트립 패턴을 형성하는 것; 및상기 스트립 패턴에 대한 리플로우 공정을 수행하여 스트립 구조를 형성하는 것을 포함하되,상기 리플로우 공정에 의해 상기 스트립 구조의 측벽은 라운드진(rounded) 형상을 갖고,상기 스트립 구조의 상기 측벽의 거칠기(line edge roughness; LER)는 5 nm 이하인 광 도파로의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 스트립 패턴을 형성할 때 상기 상부 실리콘층의 일부가 함께 식각되는 광 도파로의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 것과 상기 스트립 물질층을 형성하는 것 사이에, 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 절연막의 일부는 상기 스트립 패턴을 형성할 때 식각되는 광 도파로의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 리플로우 공정은 N2 분위기, H2 분위기, Ar 분위기, O2 분위기 또는 일반 공기 분위기에서 수행되는 광 도파로의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 리플로우 공정은 800도 내지 900도의 온도에서 수행되는 광 도파로의 제조 방법
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