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강유전체 성능 향상을 위한 이중 산화물층들을 갖는 V-NAND 메모리 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022022673
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다양한 실시예들은 강유전체 성능 향상을 위한 이중 산화물층들을 갖는 V-NAND 메모리 및 그 제조 방법을 제공하며, V-NAND 메모리는 일 방향으로 연장되는 강유전체층, 및 강유전체층을 사이에 두고 서로의 맞은 편에서, 일 방향으로 각각 연장되는 이중의 산화물층들을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 산화물층들이 산화물층들 사이에서의 열팽창 계수 차이를 이용하여 강유전체층에 대해 사방정상(orthorhombic phase) 형성을 유발시키고, 강유전체층에 대해 산소 빈자리 결함(oxygen vacancy) 형성을 억제시킴으로써, V-NAND 메모리에서의 강유전체 성능이 향상될 수 있다.
Int. CL H01L 27/1159 (2017.01.01) H01L 27/11597 (2017.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/11597(2013.01) H01L 29/516(2013.01) H01L 29/6684(2013.01) H01L 29/78391(2013.01)
출원번호/일자 1020210065930 (2021.05.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0158325 (2022.12.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재경 서울특별시 광진구
2 송윤흡 경기도 성남시 분당구
3 박형진 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0590929-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 메모리 셀들이 일 방향을 따라 적층되어 구현되는 V-NAND 메모리에 있어서, 상기 일 방향으로 연장되는 강유전체층; 및상기 강유전체층을 사이에 두고 서로의 맞은 편에서, 상기 일 방향으로 각각 연장되는 이중의 산화물층들을 포함하는, V-NAND 메모리
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 일 방향으로 연장되는 채널층을 더 포함하고,상기 강유전체층은,상기 일 방향을 중심으로 상기 채널층을 둘러싸는,V-NAND 메모리
3 3
제 2 항에 있어서,상기 산화물층들 중 하나는,상기 채널층과 상기 강유전체층 사이에 개재되며, 전자의 이동 통로인 채널층으로서 이용되는 반도체성 산화물층인,V-NAND 메모리
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 일 방향을 중심으로 상기 강유전체층을 각각 둘러싸면서 상기 일 방향을 따라 적층되는 복수의 전극들을 더 포함하는,V-NAND 메모리
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 산화물층들 중 하나는,상기 강유전체층과 상기 전극들 사이에 개재되는 절연성 산화물층인,V-NAND 메모리
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화물층들은,상기 산화물층들 사이에서의 열팽창 계수 차이를 이용하여 상기 강유전체층에 대해 사방정상(orthorhombic phase) 형성을 유발시키고, 상기 강유전체층에 대해 산소 빈자리 결함(oxygen vacancy) 형성을 억제시키는, V-NAND 메모리
7 7
복수의 메모리 셀들이 일 방향을 따라 적층되어 구현되는 V-NAND 메모리의 제조 방법에 있어서, 상기 일 방향으로 연장되는 채널층을 둘러싸는 제1 산화물층을 형성하는 단계;상기 제 1 산화물층을 둘러싸는 강유전체층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층을 둘러싸는 제 2 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는, V-NAND 메모리의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 산화물층은, 상기 채널층과 상기 강유전체층 사이에서, 전자의 이동 통로인 채널층으로서 이용되며, 반도체성 산화물로 이루어지는, V-NAND 메모리의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 일 방향을 중심으로 상기 제 2 산화물층을 각각 둘러싸면서 상기 일 방향을 따라 적층되는 복수의 전극들을 형성하는 단계를 더 포함하는,V-NAND 메모리의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 산화물층은,절연성 산화물로 이루어지는,V-NAND 메모리의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.