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자기임피던스 센서와 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014013660
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기임피던스 센서와 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로, 전기도금법에 의해 제조된 신자성 합금박막을 이용하여 제조된 자기임피던스 센서와 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제1실시예에 따르는 자기임피던스 센서의 제조방법은, 전기도금법을 이용하여 기판 상에 결정질 연자성 합금박막을 형성하는 단계; 결정질 연자성 합금박막을 패터닝하여 결정질 자성 와이어 패턴을 형성하는 단계; 스퍼터링 방법을 이용하여 결정질 자성 와이어 패턴의 양단에 연결되는 제1 및 제2입력전극과, 제1입력전극과 제2입력전극 사이에서 결정질 자성 와이어 패턴에 연결되는 제1 및 제2출력전극을 형성하는 단계; 및 결정질 자성 와이어 패턴에 대하여 일정한 각도로 기울어져 결정질 자성 와이어 패턴에 인접하여 배치되도록 영구자석을 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 자기임피던스 센서의 두께, 폭, 길이의 조절이 용이하고(자기임피던스 센서의 형상을 자유롭게 조절할 수 있고), 이에 따라 자기임피던스 특성을 조절할 수 있다. 또한, 자기임피던스 센서의 제조가 용이하고, 대량생산이 가능해진다.
Int. CL H01L 29/82 (2006.01) G01R 33/00 (2006.01)
CPC G01R 33/063(2013.01) G01R 33/063(2013.01)
출원번호/일자 1020080003644 (2008.01.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0968143-0000 (2010.06.29)
공개번호/일자 10-2009-0077607 (2009.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.11)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정원용 대한민국 서울특별시 서대문구
2 한준현 대한민국 서울 동대문구
3 천동원 대한민국 서울 마포구
4 김도헌 대한민국 서울 강남구
5 박창빈 대한민국 서울 광진구
6 금복연 대한민국 서울 성북구
7 김현경 대한민국 충북 충주시
8 박선희 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0025999-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039650-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491133-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0054448-77
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0125497-47
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0125493-65
9 등록결정서
Decision to grant
2010.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0263228-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기임피던스 센서에 있어서, 결정질 자성 와이어 패턴과; 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 양단에 연결되어 있는 제1 및 제2입력전극과; 상기 제1입력전극과 상기 제2입력전극 사이에서 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 연결되어 있는 제1 및 제2출력전극; 및 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 대하여 일정한 각도로 기울어져 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 인접하여 배치되어 있는 영구자석을 포함하는 것으로서, 상기 제1입력전극, 상기 제2입력전극, 상기 제1출력전극 및 상기 제2출력전극은 스퍼터링 방법에 의하여 금, 구리 및 은 중 어느 하나로 제조되는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴은 CoFeNi의 조성을 갖는 결정질 연자성 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴, 상기 제1입력전극, 상기 제2입력전극, 상기 제1출력전극 및 상기 제2출력전극은 동일한 재료로 동시에 일체로 제조되는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴은 1μm 내지 10 μm의 두께와, 50 μm 내지 200 μm의 폭을 가지며, 상기 제1출력전극과 상기 제2출력전극 사이의 거리는 2mm 내지 10mm인 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
6 6
제5항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 폭이 작을수록 상기 자기임피던스 센서의 민감도는 증가하는 반면에 감지 자기장 범위는 감소하고, 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 두께가 두꺼워질수록 상기 자기임피던스 센서의 민감도와 감지 자기장 범위는 증가하며, 여기서 상기 민감도의 증가량은 상기 감지 자기장 범위의 증가량보다 큰 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
7 7
제6항에 있어서, 상기 감지 자기장 범위는 ±5 에르스텟(Oe) 내지 ±15 에르스텟(Oe)으로 설정된 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
8 8
제1항에 있어서, 상기 영구자석은 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 바이어스 자기장을 인가하여 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 출력이 바이어스 자기장에 따라 선형적으로 변화하는 영역으로 동작점을 이동시켜 주며, 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 대하여 15°내지 75°의 예각을 이루도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
9 9
제1항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴, 상기 제1입력전극, 상기 제2입력전극, 상기 제1출력전극 및 상기 제2출력전극이 형성되어 있는 기판을 더 포함하며, 상기 결정질 자성 와이어 패턴과 상기 기판 사이에는 계면 접착력을 향상시켜주는 금속층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
10 10
제1항에 있어서, 상기 영구자석이 회전함에 따라 외부자기장과 상기 자기임피던스 센서가 이루는 각도가 -90° 내지 +90°로 변할 때, ±30° 구간에서 1V이상의 선형적인 출력전압 변화를 보이는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서
11 11
전기도금법을 이용하여 기판 상에 결정질 연자성 합금박막을 형성하는 단계; 상기 결정질 연자성 합금박막을 패터닝하여 결정질 자성 와이어 패턴을 형성하는 단계; 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 양단에 연결되고, 금, 구리 및 은 중 어느 하나로 이루어지는 제1 및 제2입력전극과, 상기 제1입력전극과 상기 제2입력전극 사이에서 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 연결되는 제1 및 제2출력전극을 형성하는 단계; 및 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 대하여 일정한 각도로 기울어져 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 인접하여 배치되도록 영구자석을 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 자기임피던스 센서의 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제11항에 있어서, 상기 결정질 연자성 합금박막은 CoFeNi의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서의 제조방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 결정질 연자성 합금박막의 형성 전에, 상기 기판 상에 계면접착력을 향상시키기 위한 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 상기 결정질 연자성 합금박막과 동일한 재료의 시드층(seed layer)을 스퍼터링 방법을 통하여 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서의 제조방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 결정질 연자성 합금박막을 패터닝하는 단계는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서의 제조방법
17 17
제11항에 있어서, 상기 결정질 자성 와이어 패턴은 1μm 내지 10 μm의 두께와, 50 μm 내지 200 μm의 폭을 가지도록 형성되며, 상기 제1출력전극과 상기 제2출력전극 사이의 거리는 2mm 내지 10mm을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서의 제조방법
18 18
제11항에 있어서, 상기 영구자석은 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 바이어스 자기장을 인가하여 상기 결정질 자성 와이어 패턴의 출력이 바이어스 자기장에 따라 선형적으로 변화하는 영역으로 동작점을 이동시켜 주며, 상기 결정질 자성 와이어 패턴에 대하여 15°내지 75°의 예각을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 자기임피던스 센서의 제조방법
19 19
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.