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기판을 세정하는 단계;
상기 기판 상의 산화물(native oxide)를 제거하는 단계;
상기 기판 상에 터널링 층을 증착하는 단계;
상기 터널링 층 상에 Cr 층을 증착하는 단계;
상기 Cr 층을 열처리하여 전하트랩층으로서 Cr 나노결정 층을 형성시키는 단계;
상기 Cr 나노결정 층 상에 블록킹 층을 증착하는 단계; 및
상기 블록킹 층 상에 전극 층을 증착하는 단계
로 이루어진 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 세정 단계가 기판을 아세톤에 침지시키고, 초음파 세척기를 이용하여 유기물을 제거하고, 이어서 상기 기판를 에탄올에 침지시키고, 초음파 세척기를 이용하여 무기물을 제거한 후, 최종적으로 기판을 순수(diwater)에 침지시키고, 초음파 세척기를 이용하여 아세톤 및 에탄올을 제거하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 상의 산화물(native oxide) 제거 단계가 완충 HF 용액을 이용하여 기판 위에 존재하는 산화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 상에 터널링 층 증착 단계가 원자 층 증착법(Atomic layer deposition; ALD)을 이용하여 300 내지 400 ℃의 기판 온도에서 상기 기판 상에 터널링 산화물(tunneling oxide)로서 HfO2층을 3 내지 7 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 터널링 층 상에 Cr 층 증착 단계가 Cr 층을 스퍼터링 방법을 이용하여 0
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제1항에 있어서, 상기 Cr 나노결정 층을 형성시키는 단계가 Cr 층이 증착된 기판을 고속 열 어닐링(Rapid thermal annealing; RTA) 공정에 의해 300 - 500oC의 저온으로, 60 내지 120초 동안 N2 환경 및 0
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제1항에 있어서, 상기 블록킹 층을 증착시키는 단계가 상기 Cr 나노결정 층 위에 화학 진공 증착법(chemical vapor deposition; CVD)으로 SiO2 블록킹 산화물(blocking oxide)을 15 내지 25 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극 층을 증착시키는 단계가 상기 블록킹 산화물 위에 열증착법(thermal evaporator)을 이용하여 Al 전극을 150 내지 300 μm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 제조 방법
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제1항의 방법에 따라 제조되어, 기판, 터널링층, Cr 나노결정층, 블록킹 층 및 전극층이 순차적으로 증착되어 구성된 비휘발성 메모리
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10
제3항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리가 기판, HfO2 층, Cr 나노결정층, SiO2 층 및 Al 전극 층이 순차적으로 증착되어 구성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리
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