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나노도트층을 이용한 반도체소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167474
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노도트를 이용한 반도체소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1 산화막을 증착하는 단계; 상기 제1 산화막상에 나노도트층을 증착하는 단계; 상기 나노도트층상에 제2 산화막을 증착하는 단계; 상기 제2 산화막상에 전극층;을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 나노도트를 이용한 반도체소자 및 그의 제조방법에 의하면, 다른 성장방법들과는 달리 원하는 위치에 균일한 밀도의 Ge 나노도트를 형성할 수 있는 효과가 있고, 또한 상온에서 증착하고 고온열처리 과정을 거치지 않았기 때문에 확산, 내부섞임, 두께 변화등의 문제점을 피할 수 있는 효과가 있고, 단일한 챔버공정에 의하여 간단한 장치의 조작으로 나노도트층을 성장시킬 수 있는 효과가 있다. 나노도트, 제 1 및 제 2 산화막, 중간산화막
Int. CL H01L 21/8247 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070104819 (2007.10.18)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0909994-0000 (2009.07.23)
공개번호/일자 10-2009-0039278 (2009.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20090729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기 수원시 영통구
2 홍승휘 대한민국 서울 강북구
3 김민철 대한민국 경기 수원시 장안구
4 정필성 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0744547-46
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0758494-97
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0761929-27
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041682-45
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0500696-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0804062-35
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0804061-90
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0062729-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0211400-67
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0211401-13
13 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0304534-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계와, 상기 기판상에 제1 산화막을 증착하는 단계와, 상기 제1 산화막상에 나노도트층을 증착하는 단계와, 상기 나노도트층상에 제2 산화막을 증착하는 단계 및, 상기 제2 산화막상에 전극층을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 나노도트층상에 중간산화막을 증착하는 단계와; 상기 중간산화막상에 나노도트층을 증착하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노도트층을 이용한 반도체소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화막과 제2 산화막사이에 위치된 나노도트층 및 중간산화막은 연속적으로 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 나노도트층을 이용한 반도체소자의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제1 산화막과 제2 산화막 사이의 나노도트층의 두께는 18-54ML(mono layer)(게르마늄 원자층)의 범위인 것을 특징으로 하는 나노도트층을 이용한 반도체소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제1 산화막과 제2 산화막 사이의 나노도트층의 두께는 72ML(mono layer)이하의 범위인 것을 특징으로 하는 나노도트층을 이용한 반도체소자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제1 산화막, 제1 산화막과 제2 산화막 사이의 나노도트층 및 제 2 산화막은 초기 진공조건(base vacuum) 5 x 10-9 torr의 초고진공상태 및 상온에서 750eV 및 250mA의 조건에서 제1 산화막과 제2 산화막 사이의 나노도트층인 게르마늄은 9
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 중간산화막의 두께는 1-3nm인 것을 특징으로 하는 나노도트층을 이용한 반도체소자의 제조방법
10 10
제 1 항, 제 3항, 제 5항 내지 제 7항, 제 9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.