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소자용 기판;상기 소자용 기판 상에 형성된 터널 절연막;서로 이격되어 있는 그래핀 양자점들을 포함하고, 상기 터널 절연막 상에 형성된 그래핀 양자점층;상기 그래핀 양자점층 상에 형성되는 컨트롤 절연막; 및상기 컨트롤 절연막 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 소자용 기판은 p 타입 실리콘 또는 n 타입 실리콘인 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 소자용 기판과 상기 터널 절연막 사이에 배치되는 채널막을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제3 항에 있어서,상기 소자용 기판 상에서 상기 채널막의 양단에 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제3 항에 있어서,상기 채널막은 산화아연, 질화갈륨, 펜타센, 폴리엔비닐카바졸 및 폴리스티렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 소자용 기판 상에서 상기 터널 절연막의 양단에 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 터널 절연막은 Al2O3, MgO, SiO2, ZrO2 및 HfO2로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 터널 절연막은 두께가 2 nm 내지 15 nm 범위인 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 컨트롤 절연막은 Al2O3, MgO, SiO2, ZrO2 및 HfO2로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상 또는 폴리이미드를 포함하는 고분자 물질인 비휘발성 메모리 소자
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제9 항에 있어서,상기 폴리이미드는 BPDA-PDA(poly(p-phenylene biphenyl tetracarboximide)), PMDA-PDA(poly(p-phenylene pyromellitimide)), OPDA-PDA(poly(p-phenylene 3, 3", 4,4"-oxtdiphthalimide)) 및 6FDA-PDA (poly(p-phenylene4,4"-hexafluoro isopropylidene diphthalimide))로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 비휘발성 메모리 소자
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Al, Au, Cu, Pt, Ag, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 비휘발성 메모리 소자
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소자용 기판 상에 터널 절연막을 형성하는 단계;상기 터널 절연막 상에 서로 이격되어 있는 그래핀 양자점들을 포함하는 그래핀 양자점층을 형성하는 단계;상기 그래핀 양자점 상에 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 및상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서,상기 그래핀 양자점을 형성하는 단계는,상기 터널 절연막 상에 그래핀 양자점을 포함하는 용액을 스핀코팅하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 그래핀 양자점을 포함하는 용액은,흑연 분말을 산 처리하여 그래핀 산화물 분말을 제조하는 단계;상기 그래핀 산화물 분말을 환원하여 그래핀 양자점을 형성하는 단계; 및상기 그래핀 양자점을 용매에 혼합하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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소자용 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극, 드레인 전극 및 소자용 기판 상에 채널막을 형성하는 단계;상기 채널막 상에 터널 절연막을 형성하는 단계;상기 터널 절연막 상에 서로 이격되어 있는 그래핀 양자점들을 포함하는 그래핀 양자점층을 형성하는 단계;상기 그래핀 양자점층 상에 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 및상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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