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실리콘 과잉 산화막의 전하트랩을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166635
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 과잉 산화막의 전하트랩을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.실온-성장된 실리콘 과잉 산화막 층의 전하 트랩이 처음으로 비휘발성 메모리에 사용되었다. 메모리 윈도우는 x가 1.8 이하까지 증가함에 따라 단조 감소되었는데, 이는 X선 광전자 분광기에 의해 증명되는 바와 같이 전하 트랩의 원인이 되는 Si 아산화물 상태의 x-의존적 변화에 의해 야기되는 것일 수 있다. 메모리 윈도우는 TA 증가에 따라 감소하는데, 이는 열처리에 의해 Si 아산화물 상태가 감소하는 것에 의해 설명될 수 있다. 전하 트랩의 밀도는 x = 1.0 내지 1.4인 경우에 (3.9 - 8.8) x 1012cm-2로 추정되었는데, 이는 Si-NC 비휘발성 메모리의 밀도보다 훨씬 크고, SONOS의 밀도와 유사한 것이다. x = 1.0에서 Si가 대부분을 차지하므로 전하 손실 비율은 거의 100%이었으나, x = 1.2에서는 급격히 감소하였다. x가 1.2 이상에서 더 증가함에 따라, 전하 손실 비율은 점차 증가하였고, 이는 x가 커질수록 실리콘 과잉 산화막/SiO2 배리어가 낮아지는데 기인한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020100077892 (2010.08.12)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0015636 (2012.02.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김민철 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 임근용 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0519828-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0049031-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0413701-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0749467-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0749468-26
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0106745-02
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0320084-48
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0413461-17
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0500507-37
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0500506-92
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0439740-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-타입 Si(100) 기반 위에 SiO2/SiOx/SiO2가 형성된 실리콘 과잉 산화막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서, x가 1
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 SiOx 층 두께가 3 내지 10nm 범위인 실리콘 과잉 산화막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
이온빔 스퍼터링 증착(Ion Beam Sputtering Deposition: IBSD)에 의해 터널링(tunneling) SiO2 층을 n-타입 (100) Si 웨이퍼(wafer) 상에 성장시키는 단계; 이어서, 실리콘 과잉 산화막을 상기 터널링 층 위에 성장시키는 단계; 마지막으로, 제어산화막, SiO2 층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 기재된 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 경희대학교 산학협력단 교육과학기술부 학제기초연구사업 금속 이온 및 합금에 의해 형성된 전하 트랩을 이용한 비휘발성 메모리 연구