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캐비티가 형성된 실리콘 기판 그리고상기 캐비티에 유기 물질 또는 공기를 채워 형성된 도파로를 포함하고,상기 도파로는,상기 유기 물질 또는 공기가 채워지기 전에 상기 캐비티의 저면에 형성된 제1 금속층,상기 제1 금속층이 형성된 캐비티에 유기 물질 또는 공기가 채워진 후에 형성된 제2 금속층 그리고 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이에 형성된 복수의 비아홀을 포함하는 반도체 기판
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제1 캐비티 및 제2 캐비티가 형성된 실리콘 기판,상기 제1 캐비티에 유기 물질 또는 공기를 채워 형성된 도파로 그리고상기 제2 캐비티에 실장된 반도체 칩을 포함하고,상기 반도체 칩 위에 상기 도파로가 연결된 구조를 가지며,상기 도파로는,상기 제1 캐비티의 저면에 상기 유기 물질 또는 공기가 채워지기 전에 형성된 제1 금속층,상기 제1 금속층 위에 유기 물질 또는 공기가 채워진 후에 형성된 제2 금속층,상기 반도체 칩 위에 유기 물질 또는 공기가 채워진 후에 형성된 제3 금속층 그리고상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이와, 상기 반도체 칩과 상기 제3 금속층 사이에 형성되는 복수의 비아 홀을 포함하는 반도체 패키지
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제5항에 있어서,상기 도파로 위에 적층되고, 상기 제3 금속층이 형성된 반도체 칩 상층부에 진공 혹은 질소가 채워지기 위한 캐비티가 마련된 유기 물질로 이루어진 보호층,상기 보호층 위에 형성된 본딩층 그리고상기 본딩층 위에 형성된 제4 금속층을 더 포함하는 반도체 패키지
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제6항에 있어서,상기 보호층, 상기 본딩층 및 상기 제4 금속층은,안테나 또는 금속 쉴드가 장착되기 위한 복수의 구멍이 이어져 형성되는 반도체 패키지
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