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반도체 패키지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044821
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 패키지는 실리콘 기판에 구멍을 형성하고, 구멍에 유기 물질을 채워 절연층을 형성한 후, 구멍에 대응하는 유기 물질 위에 수동 소자를 형성함으로써 제작된다.
Int. CL H01L 23/66 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100102093 (2010.10.19)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1212794-0000 (2012.12.10)
공개번호/일자 10-2012-0040591 (2012.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120056923;
심사청구여부/일자 Y (2010.10.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종철 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 박세훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 육종민 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0675538-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091070-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0193132-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0429243-89
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0429247-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0429244-24
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0640955-64
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0968769-24
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0968768-89
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0733832-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 위에 제1 수동 소자와 트랜지스터 중 적어도 하나를 집적하는 단계, 상기 실리콘 기판에 복수의 구멍을 형성하는 단계, 상기 복수의 구멍 중 적어도 하나의 제1 구멍에 에폭시 박막을 형성하는 단계, 상기 에폭시 박막이 형성된 적어도 하나의 제1 구멍에 베어 칩(bare chip)을 삽입하는 단계, 상기 복수의 구멍에 유기 물질을 채워 절연층을 형성하는 단계, 상기 복수의 구멍 중 적어도 하나의 제2 구멍에 대응하여 상기 제2 구멍보다 작은 크기의 비아 구멍을 형성하는 단계,상기 비아 구멍에 금속을 채워 비아 컨택 플러그를 형성하는 단계, 상기 유기 물질 상에 제2 수동 소자를 형성하는 단계, 상기 실리콘 기판의 하부 표면으로 금속을 노출시키는 단계, 그리고 상기 하부 표면에 그라운드, 외부 연결을 위한 패드 및 솔더볼 중 하나를 형성하는 단계를 포함하며,상기 비아 컨택 플러그를 통해 상기 제2 수동 소자가 상기 그라운드와 전기적으로 연결되는 반도체 패키지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계 전에 상기 복수의 구멍에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판 위에 집적된 상기 제1 수동 소자와 상기 트랜지스터 중 상기 적어도 하나를 덮도록 상기 유기 물질을 채우는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
복수의 구멍을 가지는 실리콘 기판,상기 실리콘 기판에 집적하는 제1 수동 소자, 상기 복수의 구멍 중 적어도 하나의 제1 구멍에 형성된 에폭시 박막 상에 삽입되는 베어 칩(bare chip), 상기 복수의 구멍을 유기 물질로 채워서 상기 제1 수동 소자 및 상기 베어 칩을를 덮도록 형성된 절연층, 상기 복수의 구멍 중 적어도 하나의 제2 구멍에 대응하여 상기 제2 구멍보다 작은 크기의 비아 구멍에 금속을 채워 형성된 비아 컨택 플러그, 상기 복수의 구멍 중 적어도 하나의 제3 구멍에 대응하는 유기 물질 위에 형성되는 제2 수동 소자, 그리고 상기 실리콘 기판의 하부 표면으로 금속을 노출시킨 후 형성되며, 상기 비아 컨택 플러그를 통해 상기 제2 수동 소자와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함하는 반도체 패키지
8 8
제7항에 있어서,상기 복수의 구멍에 상기 유기 물질을 채우기 전에 금속을 채워 형성되는 금속층을 더 포함하는 반도체 패키지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101225193 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술개발사업 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술