| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
기판 상에 형성된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 기둥 형태로 형성된 적어도 하나의 전도성 와이어; 상기 전도성 와이어를 덮도록 형성된 유전층; 및 상기 유전층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 서로 독립적으로 분리되어 형성된 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 지름이 5nm 내지 10㎛이고, 높이가 5nm 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 5 |
5
제 2 항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 금속 도전성 재료 또는 투명 도전성 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 6 |
6
제 2 항에 있어서, 상기 유전층은 유전상수가 2 내지 1000인 유전재료로 형성된 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 7 |
7
제 2 항에 있어서, 상기 유전층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, TiO2, SrTiO3, BST, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3, (Pb,La)TiO3, SrBi2Ta2O9 또는 (Bi,La)4Ti3O12로 형성되거나, 이들 중 적어도 어느 하나의 조합을 통한 다층막으로 형성된 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 8 |
8
제 2 항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 전극층 간의 부착력을 높이기 위하여 이 들 사이에 적어도 하나의 삽입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터
|
| 9 |
9
(a) 기판 상에 제1 전극층을 증착하는 단계; (b) 상기 제1 전극층 상에 템플릿층을 증착하는 단계; (c) 상기 제1 전극층의 일부가 노출되도록 상기 템플릿층에 다수의 채널을 실린더 형태로 형성하는 단계; (d) 상기 채널을 매립한 후 상기 템플릿층을 제거하여 기둥 형태의 전도성 와이어를 형성하는 단계; (e) 전체 구조 상부에 유전층을 증착하는 단계; 및 (f) 상기 유전층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 (b)단계와 상기 (c)단계 사이에 전기적화학적처리방식으로 양극산화처리를 실시하여 상기 템플릿층의 배열을 규칙적 또는 불규칙적으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 9 항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 물리적 기상증착방식, 화학적 기상증착방식, 전기도금방식 또는 무전해도금방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 13 |
13
제 9 항에 있어서, 상기 전도성 와이어는 금속 도전성 재료 또는 투명 전도성 재료를 이용하여 지름이 5nm 내지 10㎛이고, 높이가 5nm 내지 100㎛이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 14 |
14
제 9 항에 있어서, 상기 유전층은 상기 유전층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, TiO2, SrTiO3, BST, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3, (Pb,La)TiO3, SrBi2Ta2O9 또는 (Bi,La)4Ti3O12로 형성되거나, 이들 중 적어도 어느 하나의 조합을 통한 다층막으로 형성된 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 15 |
15
제 9 항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 기판 상에 상기 제1 전극층을 증착하기 전에, 상기 기판과 상기 제1 전극층 사이의 부착력을 높이기 위하여 상기 기판과 상기 제1 전극층 사이에 적어도 하나의 삽입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법
|
| 16 |
16
제 9 항에 있어서, 상기 제2 전극층은 인접하게 형성된 상기 전도성 와이어들 사이를 완전히 매립하고, 상부 표면이 평탄화되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 제조방법
|
| 17 |
17
제 9 항에 있어서, 상기 템플릿층은 10nm 내지 100㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 18 |
18
제 9 항에 있어서, 상기 템플릿층은 'Al'을 이용하여 형성하거나, 상기 'Al'과, 'Cu' 및 'Nd' 중 적어도 어느 하나가 혼합된 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
| 19 |
18
제 9 항에 있어서, 상기 템플릿층은 'Al'을 이용하여 형성하거나, 상기 'Al'과, 'Cu' 및 'Nd' 중 적어도 어느 하나가 혼합된 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법
|
