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그라핀 리튬이온전지 전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121573
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노리본상 그라핀을 기초 소재로 사용하는 리튬이온전지 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 그라핀 리튬이온전지 전극은 금속 박막과 나노리본상 그라핀을 포함하는 것이고, 상기 나노리본상 그라핀은 두께가 0.3 ~ 0.4 ㎚이고, 폭은 2 ~ 5 ㎚이고, 길이가 5~10 ㎚인 것일 수 있고, 본 발명의 리튬이온전지는 본 발명의 그라핀 리튬이온전지 전극, 상대전극, 상기 그라핀 리튬이온전지 전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 격리막 및 전해액을 포함하는 것이고, 본 발명의 그라핀 리튬이온전지 전극의 제조방법은 (a) 나선형 또는 입자형 흑연구조체를 기계적으로 밀링하여 나노리본상 그라핀을 준비하는 단계, (b) 상기 나노리본상 그라핀을 용액에 분산시켜 그라핀 분산 슬러리를 제조하는 단계, 및 (c) 상기 그라핀 분산 슬러리를 금속 박막 상에 도포하여 그라핀 리튬이온전지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것이다.
Int. CL H01M 4/13 (2010.01) H01M 4/583 (2010.01) H01M 4/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01) H01M 4/133(2013.01)
출원번호/일자 1020110039144 (2011.04.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1236183-0000 (2013.02.18)
공개번호/일자 10-2012-0121265 (2012.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 노원구
2 김형선 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0311012-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047648-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0625350-55
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1050058-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1050055-47
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0080874-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
금속 박막과 나노리본상 그라핀을 포함하고, 상기 나노리본상 그라핀은 두께가 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노리본상 그라핀은 XRD 패턴의 (002) 피크의 반가폭이 5°이상인 것인 그라핀 리튬이온전지 전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노리본상 그라핀은 알콜 분산 기간 값이 1개월 이상인 것인 그라핀 리튬이온전지 전극
5 5
제1항, 제3항, 및 제4항 중 어느 하나의 항의 그라핀 리튬이온전지 전극, 상대전극, 상기 그라핀 리튬이온전지 전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 격리막 및 전해액을 포함하는 리튬이온전지
6 6
(a) 나선형 또는 입자형 흑연구조체를 기계적으로 밀링하여 두께가 0
7 7
제6항에 있어서, 단계 (b) 이후에,(b-1) 상기 그라핀 분산 슬러리를 초음파 분산 처리하는 단계;를 더 포함하는 것인 그라핀 리튬이온전지 전극의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 단계 (b) 이후에,(b-2) 상기 그라핀 분산 슬러리에 도전제, 결착제 또는 이둘의 혼합물을 넣고 혼합하는 단계;를 더 포함하는 것인 그라핀 리튬이온전지 전극의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 단계 (b) 이후에,(b-3) 그라핀 분산 슬러리의 점도를 15 내지 25 poise로 조절하는 단계;를 더 포함하는 것인 그라핀 리튬이온전지 전극의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제6항에 있어서, 상기 나노리본상 그라핀은 XRD 패턴의 (002) 피크의 반가폭이 5°이상인 것인 그라핀 리튬이온전지 전극의 제조방법
12 12
제6항 내지 제9항 및 제11항 중 어느 하나의 항의 제조방법에 따라 그라핀 리튬이온전지 전극을 형성하는 단계;상기 그라핀 리튬이온전지 전극에 격리막을 형성하는 단계;상기 상대전극을 형성하는 단계; 및전해액을 주입하는 단계;를 포함하는 리튬이온전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.