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전하 충전층을 구비하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132466
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 종래 기술의 비휘발성 저항 변화 메모리 소자의 경우에, 1mA 이상의 높은 동작 전류가 이용되어 소비 전력이 증가되고, 소자의 계면 트랩이 쉽게 열화되는 문제점이 발생하였으나, 본 발명은 전하 충전층과 전극층 사이에 기존의 저항 변화층에 비하여 barrier height가 높은 절연층을 삽입함으로써 동작 전류를 감소시켜 저전력의 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 종래의 금속 전극층과 저항 변화층의 계면 대신에 CNT로 구현되는 전하 충전층을 커패시터로 이용함으로써, 안정적인 전하 구속효과를 제공할 수 있어 기억 유지 특성을 개선할 수 있고, 이에 따라서 메모리 소자 전체의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110015521 (2011.02.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1179133-0000 (2012.08.28)
공개번호/일자 10-2012-0096234 (2012.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김희동 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0126679-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089226-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0056035-97
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0258980-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0258937-90
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0489922-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극층;상기 제 1 전극층 위에 형성되고, 상기 제 1 전극층과 제 2 전극층 사이에 인가되는 전계에 따라서 저항상태가 변화되어 프로그램이 수행되는 저항 변화층;상기 저항 변화층 위에 형성되어 프로그램 상태에 따라서 상기 저항 변화층으로부터 유입된 전하를 충전하거나, 충전된 전하를 상기 저항 변화층으로 유출하는 전하 충전층;상기 전하 충전층 위에 형성된 절연층; 및상기 절연층 위에 형성된 상기 제 2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전하 충전층은 CNT(Carbon Nano Tube)로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 2nm 내지 100 nm 두께의 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층 또는 상기 제 1 전극층에 프로그램 전압이 인가되면, 상기 저항 변화층의 저항상태가 저저항 상태로 변화되고, 상기 저항 변화층으로부터 유도된 전하들이 상기 전하 충전층에 충전되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극층 또는 상기 제 1 전극층에 프로그램 소거 전압이 인가되면, 상기 전하 충전층에 충전된 전하들이 상기 저항 변화층을 통해서 유출되고 상기 저항 변화층의 저항상태가 고저항 상태로 변화되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은 Binary metal oxide계열의 물질(Nb2O5, NiO, MgO, TiO2, ZrO2, CuO2을 포함함), Cubic perobskite oxides계열의 물질(Nb:SrTiO3, Cr:SrTiO3, Cr:SrZrO3 포함함), Ferromagnetic materials계열의 물질(PrxCa1-xMnO3 을 포함함), 및 Metal nitride계열의 물질(AlN, ZrN, NiN, TiN, CrN, CuN을 포함함) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
7 7
기판위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 위에, 상기 제 1 전극층과 제 2 전극층 사이에 인가되는 전계에 따라서 저항상태가 변화되어 프로그램이 수행되는 저항 변화층을 형성하는 단계;상기 저항 변화층 위에, 프로그램 상태에 따라서 상기 저항 변화층으로부터 유입된 전하를 충전하거나, 충전된 전하를 상기 저항 변화층으로 유출하는 전하 충전층을 형성하는 단계;상기 전하 충전층 위에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 위에 상기 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전하 충전층은 CNT(Carbon Nano Tube)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 절연층은 2nm 내지 100 nm 두께의 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 저항 변화층은 Binary metal oxide계열의 물질(Nb2O5, NiO, MgO, TiO2, ZrO2, CuO2을 포함함), Cubic perobskite oxides계열의 물질(Nb:SrTiO3, Cr:SrTiO3, Cr:SrZrO3 포함함), Ferromagnetic materials계열의 물질(PrxCa1-xMnO3 을 포함함), 및 Metal nitride계열의 물질(AlN, ZrN, NiN, TiN, CrN, CuN을 포함함) 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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