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마이크로캔틸레버 및 그 제조 방법과 실리콘 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015137345
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 응력 구배 완화 및 표면 저항 감소를 위한 마이크로메카니컬 구조체의 실리콘 박막 제조 방법이 개시된다. 실리콘 박막 위에 Cu-박막을 증착하고, 노열처리를 수행하여, 실리콘 박막 표면에서 Cu-실리사이드화를 일으킨다. 실리콘 박막은 상부 표면에 Cu-실리사이드를 포함한다.
Int. CL G01Q 60/42 (2010.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G01R 1/067 (2006.01.01)
CPC G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01)
출원번호/일자 1020110028948 (2011.03.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1118007-0000 (2012.02.13)
공개번호/일자 10-2011-0036569 (2011.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2008-0084827 (2008.08.29)
관련 출원번호 1020080084827
심사청구여부/일자 Y (2011.03.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용협 대한민국 서울특별시 서초구
2 강태준 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인코리아나 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 **길 **(역삼동, 케이피빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2011.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0232485-11
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0322385-34
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0631202-11
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0712599-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0712598-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 등록결정서
Decision to grant
2012.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0036414-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막을 포함하는 마이크로메카니컬 구조체의 제조 방법으로서,상기 박막의 휘어진 방향에 따라 상기 박막 위에 Cu-박막을 증착하는 공정; 및상기 Cu-박막에 노열 처리를 수행하여, 상기 박막 표면을 Cu-실리사이드화하는 공정을 포함하고,상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로메카니컬 구조체 제조 방법
2 2
캔틸레버 구조층이 형성된 기판을 준비하는 공정;상기 캔틸레버 구조층의 휘어진 방향에 따라 상기 캔틸레버 구조층 상에 Cu-박막을 증착하는 공정;상기 Cu-박막에 노열처리를 수행하여, 상기 캔틸레버 구조층 상에 Cu-실리사이드를 형성하는 공정을 포함하고상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로캔틸레버 제조 방법
3 3
기판을 준비하는 공정;상기 기판상에 희생층을 증착하는 공정;상기 희생층의 일부를 제거하도록 상기 희생층을 식각하는 공정;상기 희생층의 일부가 제거되어 노출된 상기 기판 부분 및 상기 희생층상에 캔틸레버 구조층을 증착하는 공정;상기 캔틸레버 구조층의 휘어진 방향에 따라 상기 캔틸레버 구조층상에 Cu-박막을 증착하는 공정;상기 Cu-박막에 노열처리를 수행하여 상기 캔틸레버 구조층에 Cu-실리사이드를 형성하는 공정; 및상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하고,상기 노열 처리 온도는 200 ℃ 이하인, 마이크로캔틸레버 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 캔틸레버 구조층을 증착한 후, 상기 Cu-박막을 증착하기 전에, 플루오를화수소 수용액을 이용하여 상기 캔틸레버 구조층상의 자연 산화물을 제거하는 공정을 더 포함하는, 마이크로캔틸레버 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 희생층을 제거하는 공정 전에, 실리사이드화 되지 않고 남아있는 Cu 및 Cu-산화물을 제거하는 공정을 더 포함하는, 마이크로캔틸레버 제조 방법
6 6
지지층 및 캔틸레버 층을 갖는 기판 구조체 상에 박막을 형성하는 방법으로서,상기 방법은,상기 지지층 상에 희생층을 증착하는 공정;상기 기판 구조체를 형성하기 위해 상기 희생층의 적어도 일부를 식각하는 공정;플루오르화수소산으로 상기 캔틸레버 층상의 자연 산화물을 제거하는 공정;상기 캔틸레버 층이 상기 지지층으로부터 멀어지는 방향으로 휘어진 경우에는, 상기 지지층과 반대방향의 캔틸레버층 표면에 Cu-박막을 증착하고, 상기 캔틸레버 층이 상기 지지층의 방향으로 휘어진 경우에는, 상기 지지층의 방향의 캔틸레버층 표면에 Cu-박막을 증착하는 공정;200 ℃ 이하의 온도로 상기 기판 구조체를 노열 처리하는 공정; 및실리사이드화 되지 않은 Cu 또는 Cu-산화물을 제거하는 공정을 포함하는, 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101049702 KR 대한민국 FAMILY

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