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반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 산화막을 형성하는 단계;패터닝을 통해 상기 산화막의 일부를 제거하여 기설정된 형태를 갖는 상기 기판 상의 제1 영역을 노출시키는 단계; 상기 제1 영역 상에 상기 산화막의 두께를 초과하여 제1 도전층을 형성하는 단계;상기 산화막을 제거하는 단계;상기 제1 도전층 및 상기 기판 사이에 공동부가 배치되도록, 상기 제1 도전층의 채널 영역의 하부 영역을 식각하는 단계;상기 공동부를 통과하며 상기 제1 도전층을 수직방향으로 둘러쌓는 형태로 성장시켜 제2 도전층을 형성하는 단계;상기 공동부를 통과하며 상기 제2 도전층을 수직방향으로 둘러쌓는 형태로 성장시켜 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 공동부를 통과하며 상기 게이트 절연층을 수직방향으로 둘러쌓는 형태로 성장시켜 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 H 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전층을 성장시키는 단계는, 원자층 증착 또는 화상 기상 성장법을 이용하여 제2 도전층을 성장시키고,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,원자층 증착 또는 화상 기상 성장법을 이용하여 게이트 절연층을 성장시키고,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,원자층 증착 또는 화상 기상 성장법을 이용하여 게이트 전극을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전층을 형성하는 단계는, ELOG(Epitaxial Lateral Over Growth)방식을 통하여 질화갈륨계 도전층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1항 및 제6항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 도전층은, AlGaN, AIN, AlInN 중 적어도 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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