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2단계양극반응을이용한SOI구조의형성방법

  • 기술번호 : KST2015223593
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2단계 양극반응에 의한 SOI(Silicon-On-Insulation)구조의 형성방법에 관한 것으로, 양극반응을 이용한 다공질 실리콘층(PSL:Porous Silicon Layer)을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘기판에 실리콘산화막형성하는 산화공정과, 포토레지스트를 도포하여 마스킹하는 마스킹고정, 상기 실리콘산화막을 부분적으로 식각하는 식각공정 및 n형 실리콘층을 형성하는 확산공정을 통상적인 방법으로 순차실시한 다음 1단계 양극반응공정으로 1-6㎛의 PSL을 형성하고, 이어 상기 1단계 양극반응공정으로 얻어진 PSL을 산화시킨후 식각하는 그루빙(Grooving)공정을 실시하며, 계속해서 2단계 양극반응공정을 PSL을 형성하고 다공도를 높여주며 축방향의 전류밀도증가로 둘출부(Cusp)를 제거하고 아일랜드(Island)에 작용하는 축방향 스트레스를 감소시켜주는 2단계 양극반응을 이용한 SOI구조의 형성방법이다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/76245(2013.01) H01L 21/76245(2013.01) H01L 21/76245(2013.01) H01L 21/76245(2013.01) H01L 21/76245(2013.01)
출원번호/일자 1019920011004 (1992.06.24)
출원인 대한민국경북대학교센서기술연구소
등록번호/일자 10-0092495-0000 (1995.12.05)
공개번호/일자 10-1994-0001323 (1994.01.19) 문서열기
공고번호/일자 1019950009616 (19950825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.06.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구직할시북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0060754-94
2 특허출원서
Patent Application		 1992.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0060752-03
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0060753-48
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0019635-01
5 등록사정서
Decision to grant		 1995.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0019636-46
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0028808-10
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번호 청구항
1 1

양극반응을 이용한 다공질 실리콘층(PSL; Porous Silicon Layer)을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘기판에 실리콘산화막(2, 2')을 형성하는 산화공정과, 포토레지스트(3)을 도포하여 마스킹하는 마스킹공정, 상기 실리콘산화막(2)을 부분적으로 식각하는 식각공정 및 n형 실리콘층(4)을 형성하는 확산공정을 통상적인 방법으로 순차실시한 다음 1단계 양극반응공정으로 1-6㎛의 PSL(5)을 형성하고, 이어 상기 1단계 양극반응공정으로 얻어진 PSL(5)을 산화시킨후 식각하는 그루빙(Grooving)공정을 실시하며, 계속해서 2단계 양극반응공정으로 PSL을 형성하여 다공도를 높여줌을 특징으로 하는 2단계 양극반응을 이용한 SOI(Silicon-On-Insulation)구조의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 1단계 양극반응공정은 HF농도 48%에서 전류밀도 10mA/㎠로 5-10분동안 양극반응을 실시하는 것임을 특징으로 하는 2단계 양극반응을 이용한 SOI구조의 형성

3 3

제1항에 있어서, 그루빙(Grooving)공정은 1단계 양극반응 공정으로 얻은 PSL(5)이 형성된 실리콘기판(1)을 90-110℃의 끓는 물에넣어 산화 시킨후 식각하는 것임을 특징으로 하는 2단계 양극반응을 이용한 SOI구조의 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 2단계 양극반응공정은 HF농도 48%에서 전류밀도 100mA/㎠로 30분동안 양극반응을 실시하는 것임을 특징으로 하는 2단계 양극 반응을 이용한 SOI구조의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.