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SONET 통신 시스템용 8∼10.9GHz 대역 LCVCO

  • 기술번호 : KST2015193369
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 본 발명은 SONET 통신 시스템용 8 ~ 10.9GHz 대역 LC VCO에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는, 기존의 상보 cross-coupled LC VCO 방식에 전력소모와 위상 잡음 및 튜닝범위와의 trade-off 관계를 개선하기 위해 NMOS cross-coupled와 PMOS active load 기술을 적용하여 SONET 통신시스템의 CDR 응용에 가능하면서 기존의 방식보다 넓은 tuning 범위와 낮은 위상잡음을 갖는 새로운 구조의 SONET 통신 시스템용 8 ~ 10.9GHz 대역 LC VCO을 제공한다. LC VCO, SONET 통신
Int. CL H03B 5/12 (2006.01)
CPC H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01) H03B 5/1243(2013.01)
출원번호/일자 1020080019256 (2008.02.29)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0985462-0000 (2010.09.29)
공개번호/일자 10-2009-0093624 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조상복 대한민국 울산 남구
2 조효문 대한민국 경기 성남시 중원구
3 김성훈 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0153187-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002941-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486772-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0053693-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0053694-13
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0071910-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0227768-85
10 등록결정서
Decision to grant
2010.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0355007-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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LC VCO 전체 회로에 전류를 공급하는 제 1 전류원과; 상기 제 1 전류원과 LC VCO 전체 회로와의 사이에 존재하는 제 1 노드와; 상기 제 1 노드와 그라운드 사이에 접속되어 있는 LC VCO 전체 회로를 포함하고, 상기 LC VCO 전체 회로는, 상기 제 1 노드에 각각 그 드레인이 접속되어 있으며, 각각 제 2 노드와 제 3 노드에 그 소스가 접속되어 있는 제 3 MOSFET과 제 4 MOSFET과, 각각 제 2 노드와 제 3 노드에 그 소스가 접속되어 있고, 그 각각의 드레인이 제 2 전류원에 접속되어 있는 제 1 MOSFET과 제 2 MOSFET과, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 접속되어 있는 제 1 인덕터와, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 접속되어 있는 버랙터와, 상기 제 3 MOSFET과 상기 제 4 MOSFET의 각각의 소스와 게이트와 연결되어 있는 NMOS 크로스 커플드(cross-coupled) 회로와, 상기 NMOS 크로스 커플드 회로와 연결된 PMOS 액티브 로드(active load) 회로를 포함하고, 상기 제 1 MOSFET의 게이트는 제 3 노드에 연결되어 있고, 상기 제 2 MOSFET의 게이트는 제 2 노드에 연결되어 있고, 상기 제 2 전류원은 일측이 그라운드로 접지되고, 상기 PMOS 액티브 로드 회로는, 제 2 전압원과 각각의 드레인이 접속된 제 5 MOSFET과 제 6 MOSFET으로 이루어지며, 상기 제 5 MOSFET과 상기 제 6 MOSFET은 각각 자신의 게이트와 소스가 서로 연결되어 있으며, 상기 NMOS 크로스 커플드 회로는, 상기 제 5 MOSFET과 상기 제 6 MOSFET의 소스에 각각 소스가 접속된 제 7 MOSFET과 상기 제 8 MOSFET으로 이루어지며, 상기 제 7 MOSFET의 게이트는 상기 제 4 MOSFET의 게이트와 상기 제 2 노드와 연결되며, 상기 제 8 MOSFET의 게이트는 상기 제 3 MOSFET의 게이트와 상기 제 3 노드와 연결되고, 상기 제 7 MOSFET과 상기 제 8 MOSFET의 드레인은 각각 그라운드로 접지되고, 상기 PMOS 액티브 로드 회로과 상기 NMOS 크로스 커플드 회로는, 위상 잡음을 저감하기 위하여, 서로 대칭적으로 구현되고, 해당 트랜지스터의 Gm이 동일하고, 상기 제 1 전류원은, 제 1 전압원과, 상기 제 1 전압원과 각각의 드레인이 연결된 제 1 TAIL MOSFET(Mtail1)과 제 2 TAIL MOSFET(Mtail2)와, 상기 제 1 TAIL MOSFET과 상기 제 2 TAIL MOSFET의 게이트 사이의 저항과, 상기 제 1 TAIL MOSFET의 소스와 그라운드 사이의 바이어스 전류원과, 상기 제 1 전압원과 상기 제 1 노드 사이에 플리커 노이즈를 제거하기 위한 커패시터를 포함하며, 상기 제 2 TAIL MOSFET의 소스는 상기 제 1 노드에서 상기 LC VCO 전체 회로와 접속되고, 상기 제 1 MOSFET, 상기 제 2 MOSFET, 상기 제 7 MOSFET 및 상기 제 8 MOSFET는 NMOS이고, 상기 제 3 MOSFET, 상기 제 4 MOSFET, 상기 제 5 MOSFET 및 상기 제 6 MOSFET, 상기 제 1 TAIL MOSFET 및 상기 제 2 TAIL MOSFET은 PMOS이고, 상기 LC VCO 전체 회로는, 상기 제 1 노드와 그라운드 사이에 직렬로 연결된 제 2 인턱터와 제 9 MOSFET를 이루어진 제 1 버퍼회로((+) 출력측 노드는 제 2 인덕터와 제 9 MOSFET 사이에 위치함) 및 상기 제 1 노드와 그라운드 사이에 직렬로 연결된 제 3 인덕터와 제 10 MOSFET로 이루어진 제 2 버퍼회로((-) 출력측 노드는 제 3 인덕터와 제 10 MOSFET 사이에 위치함)를 더 포함하고, 상기 제 9 MOSFET과 상기 제 10 MOSFET의 게이트는 각각 상기 제 2 노드와 제 3 노드에 접속되고, 상기 제 9 MOSFET과 상기 제 10 MOSFET은 NMOS인 것을 특징으로 하는 SONET 통신 시스템용 8 ~ 10
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 인덕터는 spiral 인덕터이고, 상기 버랙터는 축적모드 버랙터이며, PMOS 트랜지스터의 소스와 드레인 전극의 p+를 n+로 대체하여 구성한 것으로, n+ diffusion에 벌크를 연결하고 이에 제어 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 SONET 통신 시스템용 8 ~ 10
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제 7 항에 있어서, 제 1 전압원과 제 2 전압원은 각각 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 울산대학교 산학협력단 지역혁신센터 구축사업 네트워크 기반 자동화연구