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다결정 탄화규소 마이크로 압력센서 제조방법

  • 기술번호 : KST2015193381
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 탄화규소 마이크로 압력센서 제조방법에 관한 것으로, 산화된 SOI 기판 위에 다결정 3C-SiC 압저항 압력센서를 제조하는 다결정 탄화규소 마이크로 압력센서 제조방법에 관한 것이다. SOI(Si/SiO2/Si: 20㎛/0.5㎛/230㎛) 기판을 세척 후 마스크 형성을 위해 습식 산화로를 통한 산화막을 0.7 ~ 0.9㎛ 증착시키는 제1공정(S10)과; 다이어프램 형성을 위한 사진 식각 후 이산화규소(SiO2)를 버퍼 산화물 식각용 화학용액(BOE: Buffer oxide etchant)으로 선택적으로 제거한 다음 82℃의 온도로 유지되는 이방성 에칭 용액인 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH: Tetramethylammoniumhydroxide) 내에서 8시간 동안 넣어 산화시키는 제2공정(S20)과; 상기 산화된 SOI 기판상에 다결정 탄화규소(3C-SiC)를 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)으로 0.5㎛ 성장시킨 후 압저항 형성을 위해 증발기(Evaporator)를 이용하여 알루미늄(Al)을 증착시키고, 사진 식각 공정과 알루미늄(Al) 식각 용액으로 PR/Al 마스크를 형성시키는 제3공정(S30)과; 마그네트론 반응이온에칭(RIE: Reactive ion etching)으로 다결정 탄화규소(3C-SiC)는 마스크 부분을 제외한 나머지 부분을 식각하는 제4공정(S40)과; 상기 식각 공정 후 마그네트론 스퍼터 장비로 열적으로 안정된 메탈전극(TiW) 금속을 증착시키고, 와이어 본딩을 위해 금(Au)을 증착하는 제5공정(S50)을 포함한다. 따라서, 본 발명은 산화된 SOI 기판 위에 다결정 탄화규소 압저항 압력센서를 제작하여, 인가 압력에 따른 출력전압 측정시 압력감도는 0.1mV/V·bar로 감도는 낮지만 비선형성은 ±0.44 %FS로 매우 우수하며, 히스테리시스 특성은 0.61 %FS로 측정되고, 25~400℃ 온도에서의 온도특성 분석결과 감도와 선형성은 온도가 증가할수록 감소특성을 나타내며, TCS는 -1867 ppm/℃, TCR은 -792 ppm/℃, TCGF는 -1042 ppm/℃로 각각 측정되므로, 본 발명에 의한 다결정 탄화규소 마이크로 압력센서는 400℃ 온도의 극한환경에서 적용될 수 있는 효과가 있다. 탄화규소, 마이크로, 압력센서
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC B81C 3/001(2013.01) B81C 3/001(2013.01) B81C 3/001(2013.01) B81C 3/001(2013.01) B81C 3/001(2013.01)
출원번호/일자 1020080072906 (2008.07.25)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1018922-0000 (2011.02.23)
공개번호/일자 10-2010-0011615 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산 남구
2 한기봉 대한민국 경기 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이풍우 대한민국 서울특별시 강남구 양재대로 **길** *층(일원동)(특허법인 대한(양재분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0537318-32
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-5038885-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0231937-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0444735-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0444736-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541104-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다결정 탄화규소 마이크로 압력센서 제조방법에 있어서, SOI(Si/SiO2/Si: 20㎛/0
2 2
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3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제5공정(S50) 후 900℃에서 45초 동안 RTA(Rapid Thermal Annealing) 열처리하고, 제작된 센서와 패키지 간의 열팽창 계수를 줄이기 위해 pyrex #7740 glass를 기판에 400℃, DC 800V로 인가하여 양극 접합시키는 제6공정(S60)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 탄화규소 마이크로 압력센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.