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이산화규소/실리콘(SiO2/Si) 기판위에 주입되는 캐리어 가스, 전구체 및 수소(H2)를 주입하여 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)법으로 다결정 3C-SiC 박막을 성장시키는 다결정성장단계, 상기 성장한 다결정 3C-SiC 박막 상에 식각 마스크를 형성한 후 하드 베이킹(Hard Baking)하는 마스크형성단계 및 원하는 패턴 형상만을 남겨 놓기 위한 건식식각을 통해 패턴을 형성하는 식각수행단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 마스크형성단계는 성장한 다결정 3C-SiC 박막 상에 SiC와 10의 선택비를 가지는 알루미늄(Al)막을 성장시키는 단계 및 상기 알루미늄막을 사진감광제를 이용하여 패턴 형성 후 하드베이킹 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제2항에 있어서, 상기 알루미늄(Al)막을 성장시키는 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제1항에 있어서, 상기 식각수행단계는 상기 식각 마스크 상에 반응성 가스인 혼합가스의 주입을 통한 건식식각을 수행하여 원하는 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제4항에 있어서, 상기 식각수행단계는 RF 마그네트론 반응성 이온 식각(RIE)을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제4항에 있어서, 상기 혼합가스는 트리 플로로 메탄(CHF3), 아르곤(Ar) 및 산소(O2)의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제4항에 있어서, 상기 식각수행단계는 상기 트리 플로로 메탄(CHF3)과 산소(O2)가 반응하여 측벽 보호막(SiOxFy)이 발생하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제7항에 있어서, 상기 식각수행단계는 식각 마스크 식각 시 수직적인 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제4항에 있어서, 상기 식각수행단계는 산소 주입량, 고주파 전력(RF power), 챔프 압력 및 전극간격을 조절하여 식각하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제9항에 있어서, 상기 산소 주입량은 30% ~ 50%의 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제9항에 있어서, 상기 고주파 전력은 110W ~ 200W의 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제9항에 있어서, 상기 챔프 압력은 10 ~ 20 mTorr의 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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제9항에 있어서, 상기 전극간격은 3 ~ 5 ㎝의 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 다결정 3C-SiC 박막 식각방법
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