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자화율을 가지는 금속 입자에 금속을 코팅하는 단계;상기 코팅된 금속 입자를 이용하여 접착물질을 제조하는 단계;기판의 상부에 상기 접착물질을 도포하는 단계;상기 도포된 접착물질의 상부에 칩(chip)을 실장하는 단계; 및상기 접착물질을 유도 가열로 경화하는 단계;를 포함하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 방법
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제 1항에 있어서,상기 접착물질을 도포하는 단계와 상기 칩을 실장하는 단계 사이에,상기 도포된 접착물질을 건조하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 방법
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제 1항에 있어서,상기 접착물질을 유도 가열로 경화하는 단계 이후,상기 기판의 상부에 형성된 배선과 상기 칩을 금속 와이어로 연결하는 단계; 상기 기판의 상부에 고분자 수지를 도포하는 단계; 및상기 기판의 하부에 외부접속단자를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 방법
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제 1항에 있어서,상기 접착물질을 제조하는 단계는,상기 코팅된 금속입자, 분산제, 바인더 및 용매를 혼합하여 상기 접착물질을 제조하고,카본블랙(carbon black), 카본 나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 실리카(silica) 및 알루미나(alumina) 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 입자는, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 이들의 산화물 및 합금 중 어느 하나이고, 상기 금속은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 방법
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기판;상기 기판의 상부에 도포되는 접착물질; 및상기 접착물질의 상부에 실장되는 칩;을 포함하되,상기 접착물질은, 자화율을 가지는 금속 입자 이용하여 제조되고, 유도 가열로 경화되는 것을 특징으로 하는 고방열 접착물질을 이용한 칩 접착 구조
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