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소자실장방법

  • 기술번호 : KST2020005828
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 최소한의 두께로 전기적 특성이 우수하면서도 고신뢰성의 접합특성을 나타낼 수 있는 소자 실장이 가능한 소자실장방법이 제안된다. 본 소자실장방법은 기판의 소자를 실장하기 위한 제1실장영역의 상부에, 기판과 이격되도록 소자를 위치시키는 단계; 및 기판과 소자 사이에 침투가능한 접합물질의 증기를 이용하여, 접합층을 형성하여, 기판과 소자를 접합시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01) H01L 21/56 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 23/495 (2006.01.01)
CPC H01L 21/52(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 21/52(2013.01)
출원번호/일자 1020180144191 (2018.11.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0059447 (2020.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오철민 경기도 용인시 수지구
2 홍원식 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1159834-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0358912-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0780528-51
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0686786-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-1258756-22
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1258790-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 소자를 실장하기 위한 제1실장영역의 상부에, 기판과 이격되도록 소자를 위치시키는 단계; 및기판과 소자 사이에 침투가능한 접합물질의 증기를 이용하여, 접합층을 형성하여, 기판과 소자를 접합시키는 단계;를 포함하는 소자실장방법
2 2
청구항 1에 있어서, 기판은 제1실장영역에만 접합층이 형성되도록 제1실장영역을 제외하고 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 소자실장방법
3 3
청구항 2에 있어서, 기판표면을 기준으로 하여, 보호층의 높이는 소자 및 기판의 이격거리보다 큰 것을 특징으로 하는 소자실장방법
4 4
청구항 2에 있어서, 보호층은 소자와 인접한 모서리가 소자의 모서리의 형상과 대응되도록 형성된 것을 특징으로 하는 소자실장방법
5 5
청구항 1에 있어서, 제1실장영역에는 기판실장부가 형성되고, 소자의 제2실장영역에는 기판실장부와 대응하는 위치에 소자실장부가 형성되고,제1실장영역에 기판실장부의 접합표면을 제외하고 보호층이 형성되고, 제2실장영역에는 소자실장부의 접합표면을 제외하고 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 소자실장방법
6 6
청구항 2 또는 청구항 5에 있어서, 접합시키는 단계 후,보호층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자실장방법
7 7
제 1항에 있어서, 접합시키는 단계는 원자층 증착방법(Atomic Layer Deposion)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 소자실장방법
8 8
몸체; 몸체 표면에 소자가 실장될 소자실장영역을 제외하고 형성된 보호층; 및 소자와 몸체와의 접합성능을 향상시키기 위한 표면이 요철처리된 요철표면이 형성된 소자실장영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자실장용 기판
9 9
청구항 8에 있어서, 요철표면은 보호층과의 거리에 따라 조도가 상이한 것을 특징으로 하는 소자실장용 기판
10 10
청구항 8에 있어서, 요철표면은 보호층과의 거리에 따라 높이가 상이한 것을 특징으로 하는 소자실장용 기판
11 11
제1면 및 제2면이 각각 제1접합영역 및 제2접합영역을 포함하는 소자를 기판에 실장하는 소자실장방법으로서, 제1접합영역과 접합될 제1기판 및 제2접합영역과 접합될 제2기판 사이에 소자를 접합층의 높이만큼 이격되도록 위치시키는 단계; 및 제1기판과 소자 사이 및 제2기판과 소자 사이에 침투가능한 접합물질의 증기를 이용하여 접합층을 형성하여 제1기판, 소자 및 제2기판을 접합시키는 단계;를 포함하는 소자실장방법
12 12
리드프레임을 포함하는 소자 패키지를 기판에 실장하는 소자실장방법으로서, 기판의 소자 패키지를 실장하기 위한 제1실장영역의 상부에 이격되도록 소자 패키지를 위치시키는 단계; 기판 상에 기판과 리드프레임의 접합영역을 제외하고 보호층을 형성하는 단계;기판 및 리드프레임 사이에 침투가능한 접합물질의 증기를 이용하여 접합층을 형성하여 기판과 소자를 접합시키는 단계; 및 보호층을 제거하는 단계;를 포함하는 소자실장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 트리노테크놀로지 우수기술연구센터(ATC) 48V 기반 EV/HEV 대응 100V 급 Trench MOSFET 기술개발