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기판; 및 상기 기판 상에 실장되는 소자;를 포함하고, 상기 소자는 상기 기판 상에 위치한, 금속막을 포함하는 제1층, 및 상기 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층을 포함하는 반도체소자 실장재 상에 위치하여, 상기 반도체소자 실장재의 소결에 의해 상기 기판에 실장되고,제2층은 상기 소자와 접촉하며, 제2층은 상기 입자만으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자 패키지
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청구항 1에 있어서, 상기 입자는, 일부분은 상기 제1층의 내부에 위치하고, 잔여부분은 상기 제1층의 외부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 패키지
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청구항 1에 있어서, 상기 입자 중 어느 하나의 입자를 제1입자라 하고, 다른 하나의 입자를 제2입자라 하면, 상기 제1입자 및 상기 제2입자는 서로 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 패키지
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청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물입자 및 상기 금속산화물층은 Cu, Ni, Ag, Ti, Al 및 Zn 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 패키지
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기판 상에 금속막을 포함하는 제1층, 및 상기 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층을 포함하는 반도체소자 실장재를 형성하는 반도체소자 실장재 형성단계;상기 반도체소자 실장재 상에 소자를 위치시키는 단계; 및상기 반도체소자 실장재를 소결시키는 단계;를 포함하는 소자실장방법으로서,제2층은 상기 소자와 접촉하며, 제2층은 상기 입자만으로 형성된 것을 특징으로 하는 소자실장방법
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청구항 5에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계는, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자의 일부분을 상기 제1층 내부로 임베딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자실장방법
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청구항 5에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계는, 스프레이법 또는 롤링법을 이용하여, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 상기 제1층에 도포하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자실장방법
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청구항 5에 있어서, 반도체소자 실장재 형성단계는 금속막을 포함하는 제1층을 준비하는 단계; 및 상기 제1층의 일면에 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 도포하여 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자실장방법
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청구항 5에 있어서, 상기 소결시키는 단계는, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자의 환원공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자실장방법
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