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상면에 전극패드가 위치하는 반도체 칩;상기 반도체 칩의 측면 주위에 상기 반도체 칩에 대해 이격되도록 배치되어, 전기신호를 전달하는 적어도 하나 이상의 입출력 세그먼트;상기 반도체 칩과 입출력 세그먼트 사이에 충진되고 상기 반도체 칩과 입출력 세그먼트 상에 형성되어, 상기 반도체 칩과 입출력 세그먼트를 고정하고 절연하는 절연층; 및상기 절연층 상에 형성되어, 상기 반도체 칩의 전극패드와 상기 입출력 세그먼트를 전기적으로 연결하는 전극패턴을 포함하고, 상기 입출력 세그먼트는 상기 반도체 칩을 수용하는 베이스 기판의 일부를 이용하여 형성되며, 상기 베이스 기판은 두 개 이상의 층으로 형성되어, 상기 반도체 칩, 입출력 세그먼트, 절연층, 전극패턴을 포함하는 패키지에서 발생하는 휨방향의 반대방향으로 스트레스가 형성된 것인, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서,상기 베이스 기판은 제1 레이어; 및 상기 제1 레이어의 일면에 형성되어, 상기 휨방향의 반대방향으로 스트레스를 형성하는 제2 레이어를 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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청구항 5에 있어서,상기 제1 레이어는 구리(Cu) 또는 구리(Cu)를 포함하는 합금으로 형성되고,상기 제2 레이어는 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 을 포함하는 구리(Cu)보다 낮은 열팽창계수를 갖는 금속그룹 중의 어느 하나를 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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청구항 5에 있어서,상기 베이스 기판은 상기 제1 레이어의 타면에 형성되어, 상기 휨방향의 반대방향으로 스트레스를 형성하는 제3 레이어를 더 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 칩의 측면 주위에 상기 반도체 칩과 상기 입출력 세그먼트에 대해 이격되도록 배치되고, 상기 휨방향의 반대방향으로 형성되는 스트레스를 갖는 적어도 하나 이상의 바디 세그먼트; 및 상기 반도체 칩의 하면, 상기 입출력 세그먼트의 하면, 상기 바디 세그먼트의 하면에 형성되어, 상기 반도체 칩이 생성하는 열을 외부로 방출하는 하면방열층을 더 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 칩의 측면 주위에 상기 반도체 칩과 상기 입출력 세그먼트에 대해 이격되도록 배치되고, 상기 반도체 패키지의 일측면에서 다른 일측면으로 형성되는 적어도 하나 이상의 프레임을 더 포함하며, 상기 프레임은 상기 반도체 칩을 수용하는 베이스 기판의 일부를 이용하여 형성되고, 상기 휨방향의 반대방향으로 형성되는 스트레스를 갖는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지
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휨방향의 반대방향으로 스트레스를 갖는 베이스 기판을 준비하는 기판준비단계;전기전도성을 갖는 베이스 기판에 수용부를 형성하되, 수용부 둘레의 적어도 일부가 서펜타인 형상으로 형성되어 내측으로 상기 베이스 기판의 일부가 돌출되는 돌출부를 갖도록 형성하는 수용부형성단계;상면에 전극패드가 위치하는 반도체 칩을 상기 수용부에 실장하는 실장단계;상기 반도체 칩과 수용부 사이에 채워지고 상기 반도체 칩과 베이스 기판의 상면을 커버하는 절연층을 형성하고, 상기 돌출부와 상기 반도체 칩의 전극패드를 전기적으로 연결하는 전극패턴을 형성하는 배선층형성단계; 및 상기 돌출부가 시작되는 지점을 기준으로 상기 베이스 기판을 절단하여, 상기 돌출부를 상기 베이스 기판의 다른 부분과 분리하여 입출력 세그먼트를 형성하는 절단단계를 포함하고,상기 휨방향은 상기 반도체 칩, 입출력 세그먼트, 절연층, 및 전극패턴을 포함하는 패키지에서 발생하는 휨방향인, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 기판준비단계는 제1 레이어를 준비하는 단계; 및상기 휨 방향의 반대방향으로 스트레스가 형성되도록 상기 제1 레이어에 제2 레이어를 형성하는 단계를 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 배선층형성단계 후에, 상기 베이스 기판 및 반도체 칩의 하면을 커버하는 전기전도성 재질의 하면방열층을 형성하는 하면방열층형성단계를 더 포함하는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 수용부는상기 반도체 칩이 실장되는 제1 수용부;상기 제1 수용부를 향하도록 적어도 하나 이상의 돌출부가 형성되고, 상기 제1 수용부와 프레임의 폭만큼 이격되는 제2 수용부; 및상기 제1 수용부와 제2 수용부에 대해 상기 프레임의 폭만큼 이격되고, 상기 베이스 기판의 일부를 바디부로 구획하는 제3 수용부를 포함하며, 상기 제1 수용부, 제2 수용부 및 제3 수용부의 둘레가 베이스 기판의 일측면에서 다른 일측면으로 향하는 프레임을 구획하도록 배치되는, 고전력 및 고주파수 응용을 위한 반도체 패키지 제조방법
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