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반도체소자 실장재 및 제조방법(Bonding material and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2018005939
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저가의 재료를 사용하면서도 저온, 저압 실장공정이 가능한 반도체소자 실장재 및 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재는 금속막을 포함하는 제1층, 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층을 포함한다.
Int. CL H01L 23/482 (2006.01.01) H01L 23/492 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 23/4827(2013.01) H01L 23/4827(2013.01) H01L 23/4827(2013.01) H01L 23/4827(2013.01) H01L 23/4827(2013.01)
출원번호/일자 1020160151794 (2016.11.15)
출원인 전자부품연구원, 한국생산기술연구원, 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0054174 (2018.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180116865;
심사청구여부/일자 Y (2016.11.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오철민 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 홍원식 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 윤정원 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 이종현 대한민국 경기도 구리시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1113529-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0179285-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0867622-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0152315-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0152372-69
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0419353-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0727517-13
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0727555-48
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0514234-15
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0861404-73
13 보정요구서
Request for Amendment		 2018.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0141076-95
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2018.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0890154-22
15 법정기간연장승인서
 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0146925-15
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0966626-86
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속막을 포함하는 제1층; 및상기 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층;을 포함하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제2층은 상기 입자만으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 입자는, 일부분은 상기 제1층의 내부에 위치하고, 잔여부분은 상기 제1층의 외부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 입자 중 어느 하나의 입자를 제1입자라 하고, 다른 하나의 입자를 제2입자라 하면, 상기 제1입자 및 상기 제2입자는 서로 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물입자 및 상기 금속산화물층은 Cu, Ni, Ag, Ti, Al 및 Zn 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재
6 6
금속막을 포함하는 제1층을 준비하는 단계; 및 상기 제1층의 일면에 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 도포하여 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계는, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자의 일부분을 상기 제1층 내부로 임베딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계는, 스프레이법 또는 롤링법을 이용하여, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 상기 제1층에 도포하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 단계는, 프린팅법 또는 닥터블레이드를 이용하여, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 페이스트를 상기 제1층에 도포하고 건조하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체소자를 기판에 실장하기 위한 반도체소자 실장재 제조방법
10 10
기판; 및 상기 기판 상에 실장되는 소자;를 포함하고, 상기 소자는 상기 기판 상에 위치한, 금속막을 포함하는 제1층, 및 상기 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층을 포함하는 반도체소자 실장재 상에 위치하여, 상기 반도체소자 실장재의 소결에 의해 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 패키지
11 11
기판 상에 금속막을 포함하는 제1층, 및 상기 제1층의 적어도 일면에 형성되는, 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 제2층을 포함하는 반도체소자 실장재를 형성하는 반도체소자 실장재 형성단계;상기 반도체소자 실장재 상에 소자를 위치시키는 단계; 및상기 반도체소자 실장재를 소결시키는 단계;를 포함하는 소자실장방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 소결시키는 단계는, 상기 금속입자, 금속산화물입자 및 표면에 금속산화물층을 포함하는 복합금속입자 중 적어도 하나의 입자의 환원공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자실장방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR102091938 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 에너지수요관리핵심기술개발(에특) 30% 이상 전력손실 절감을 위한 파워 디바이스 적용 다목적 냉난방용 고효율 전력변환모듈 개발