요약 | 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 원자시계 물리부가 제공된다. 상기 물리부는 상기 지지부 각각에 형성된 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 연결관통부 내부에는 자기차폐막이 배치되며, 상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 금속배선은 상기 현수프레임의 지지부의 최외곽면까지 연장되어 외부 전원 공급 배선과 연결되는 구성을 가진다. |
---|---|
Int. CL | G04F 5/14 (2016.09.01) H05K 9/00 (2016.09.01) |
CPC | G04F 5/14(2013.01) G04F 5/14(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020160098182 (2016.08.01) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2018-0014606 (2018.02.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2016.08.01) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김희연 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 양충모 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 김태현 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
4 | 박종철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김남식 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
2 | 이인행 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
3 | 김한 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2016.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0748862-17 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2017.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0508149-01 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2017.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2017-0107771-19 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0918558-75 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0918556-84 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2018.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0072579-05 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.03.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0303972-41 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0303971-06 |
10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2018.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0240213-52 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0380686-26 |
12 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2018.04.17 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0380687-72 |
13 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2018.05.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0334092-40 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 칩 스케일 원자시계 물리부에 있어서, 상기 지지부 각각에 형성된 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 연결관통부 내부에는 자기차폐막이 배치되며, 상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 금속배선은 상기 현수프레임의 지지부의 최외곽면까지 연장되어 외부 전원 공급 배선과 연결되고,상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판 중 어느 하나 이상은 자기차폐층을 포함하고,상기 자기차폐막 내부의 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판에 형성된 한 쌍의 적층형 코일이 배치되고,상기 증기셀에 일정량의 정자장을 가해줄 수 있도록 상기 적층형 코일의 중심축은 상기 증기셀의 중심축과 동축을 가지고, 상기 적층형 코일의 반경방향은 상기 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임이 형성된 방향과 평행하게 형성되는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
2 |
2 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 칩 스케일 원자시계에 있어서,상기 지지부 각각에 형성된 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 연결관통부 내부에는 자기차폐막이 배치되며, 상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 유연기판은 일 단부가 연장되어 상기 금속배선이 연장되는 배선연장부를 포함하며, 상기 배선연장부는 상기 연결관통부 내부에 삽입되고 상기 자기차폐막 외부 영역까지 연장된 후 외부 전원과 연결되고,상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판 중 어느 하나 이상은 자기차폐층을 포함하고,상기 자기차폐막 내부의 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판에 형성된 한 쌍의 적층형 코일이 배치되고,상기 증기셀에 일정량의 정자장을 가해줄 수 있도록 상기 적층형 코일의 중심축은 상기 증기셀의 중심축과 동축을 가지고, 상기 적층형 코일의 반경방향은 상기 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임이 형성된 방향과 평행하게 형성되는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
3 |
3 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 칩 스케일 원자시계에 있어서,상기 지지부 각각에 형성된 제 1 관통영역 및 제 2 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 제 1 연결관통부 및 제 2 연결관통부; 및 상기 제 1 연결관통부의 내부에 배치된 자기차폐막;을 포함하고,상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 유연기판은 일 단부가 연장되어 상기 금속배선이 연장되는 배선연장부를 포함하며, 상기 배선연장부는 상기 제 2 연결관통부 내부에 삽입되고 상기 자기차폐막 외부 영역까지 연장된 후 외부 전원과 연결되고,상기 자기차폐막 내부의 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판에 형성된 한 쌍의 적층형 코일이 배치되고,상기 증기셀에 일정량의 정자장을 가해줄 수 있도록 상기 적층형 코일의 중심축은 상기 증기셀의 중심축과 동축을 가지고, 상기 적층형 코일의 반경방향은 상기 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임이 형성된 방향과 평행하게 형성되는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판 중 어느 하나 이상은 자기차폐층을 포함하는 것인, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 유연기판은 고분자 기판의 일면에 금속층이 형성된 것인, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 유연기판은 연성동박적층판(FCCL)을 포함하는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 자기차폐막은 Fe, Ni 및 Co을 포함하는 합금을 포함하는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 금속배선과 연결되는 외부 전원 공급 배선은 상기 지지부의 최외각면에 형성된 트렌치 내부에 전도성 물질이 도포되거나 매립된 형태를 가지는,칩 스케일 원자시계의 물리부 |
10 |
10 제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 칩 스케일 원자시계의 물리부를 포함하는, 칩 스케일 원자시계 |
11 |
11 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 칩 스케일 원자시계 물리부에 있어서, 상기 지지부 각각에 형성된 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 연결관통부 내부에는 자기차폐막이 배치되며, 상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 금속배선은 상기 현수프레임의 지지부의 최외곽면까지 연장되어 외부 전원 공급 배선과 연결되고,상기 자기차폐막 내부의 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판에 형성된 한 쌍의 적층형 코일이 배치되고,상기 증기셀에 일정량의 정자장을 가해줄 수 있도록 상기 적층형 코일의 중심축은 상기 증기셀의 중심축과 동축을 가지고, 상기 적층형 코일의 반경방향은 상기 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임이 형성된 방향과 평행하게 형성되는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
12 |
12 기판 및 상기 기판의 단부를 지지하여 소정의 높이로 현수할 수 있는 지지부로 이루어진 현수프레임을 복수 개로 포함하며, 상기 복수 개의 현수프레임이 적층 배열되는 구조를 가지는 칩 스케일 원자시계에 있어서,상기 지지부 각각에 형성된 관통영역이 서로 상하로 연결되어 형성된 연결관통부 내부에는 자기차폐막이 배치되며, 상기 자기차폐막으로 둘러싸인 내부 영역에는 광 발생부가 장착된 제 1 현수프레임, 상기 제 1 현수프레임의 상부에 배치되고 상기 광 발생부로부터 발생된 레이저 광이 입사되고 출사되는 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임 및 상기 제 2 현수프레임 상부에 배치되고 상기 증기셀로부터 출사되는 광을 수신하는 광 검출부가 장착된 제 3 현수프레임이 포함되며, 상기 현수프레임 중 적어도 어느 하나의 기판은 일면에 금속배선이 형성된 유연기판이며, 상기 유연기판은 일 단부가 연장되어 상기 금속배선이 연장되는 배선연장부를 포함하며, 상기 배선연장부는 상기 연결관통부 내부에 삽입되고 상기 자기차폐막 외부 영역까지 연장된 후 외부 전원과 연결되고,상기 자기차폐막 내부의 상기 증기셀 보다 상부에 배치한 기판 및 상기 증기셀 보다 하부에 배치된 기판에 형성된 한 쌍의 적층형 코일이 배치되고,상기 증기셀에 일정량의 정자장을 가해줄 수 있도록 상기 적층형 코일의 중심축은 상기 증기셀의 중심축과 동축을 가지고, 상기 적층형 코일의 반경방향은 상기 증기셀이 장착된 제 2 현수프레임이 형성된 방향과 평행하게 형성되는, 칩 스케일 원자시계의 물리부 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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등록사항 정보가 없습니다 |
---|
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2016.08.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0748862-17 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2017.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 의견제출통지서 | 2017.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0508149-01 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2017.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2017-0107771-19 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0918558-75 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0918556-84 |
7 | 의견제출통지서 | 2018.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0072579-05 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.03.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0303972-41 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0303971-06 |
10 | 거절결정서 | 2018.04.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0240213-52 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.04.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0380686-26 |
12 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2018.04.17 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2018-0380687-72 |
13 | 등록결정서 | 2018.05.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0334092-40 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415150740 |
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세부과제번호 | 14-CM-EE-02-MKE |
연구과제명 | 초소형 Chip-Scale 원자시계 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201608~201708 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1695005671 |
---|---|
세부과제번호 | 14-CM-EE-02 |
연구과제명 | 초소형 Chip-Scale 원자시계 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 방위사업청 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201608~201708 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1711045728 |
---|---|
세부과제번호 | NNFC-16-01 |
연구과제명 | 공정고도화 지원 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2016 |
연구기간 | 201601~201612 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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