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미세 패턴이 형성된 니켈 스탬프의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019024068
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시 내용의 구체예에 따르면, 종래의 니켈 스탬프 제조 방법에서 요구되는 다수의 복잡한 단계를 생략함과 동시에 반도체 공정의 리소그래피 기술을 활용하여 보다 간편하고 경제적으로 구현 가능한 니켈 스탬프의 제조방법이 기재된다
Int. CL G03F 7/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01)
출원번호/일자 1020160131797 (2016.10.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1715177-0000 (2017.03.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배남호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이석재 대한민국 대전광역시 유성구
3 이경균 대한민국 경상남도 창원시 진해구
4 이문근 대한민국 대전광역시 서구
5 정순우 대한민국 대전광역시 서구
6 이태재 대한민국 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0986367-44
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0986192-51
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2016.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2016.10.31 수리 (Accepted) 9-1-2016-0045164-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0806366-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0023234-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0023226-85
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0158423-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
니켈 스탬프의 제조방법으로서,a) 니켈 스탬프의 기재로서 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 경면 연마된 표면을 갖는 니켈 웨이퍼의 TTV은 60㎛ 이하, 휨 크기(bow height)는 80㎛ 이하, 그리고 뒤틀림(warp)은 100㎛ 이하이며, 또한 상기 경면 연마된 표면을 갖는 니켈 웨이퍼의 표면 조도(Rms)는 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 니켈 스탬프의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 a3)에서 원하는 두께의 니켈 웨이퍼를 형성하기 위하여 랩핑을 더 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 스탬프의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 미세 패턴화 테크닉은 반도체 공정의 포토리소그래피, 전자빔 (electron-beam) 리소그래피(lithography), 또는 집속이온빔(focused ion beam, FIB) 리소그래피 테크닉인 것을 특징으로 하는 니켈 스탬프의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 미세 패턴의 니켈 층의 높이 또는 두께는 10 nm 내지 200 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 니켈 스탬프의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 미세 패턴의 종횡 비는 1 내지 10인 것을 특징으로 하는 니켈 스탬프의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 a3)는, (i) 500 내지 600℃에서 1 내지 1
9 9
제4항에 있어서, 상기 단계 a1)에서 제공되는 니켈 플레이트의 두께는 0
10 10
제1항에 있어서, 상기 전기도금에 사용되는 도금액의 조성은 니켈 설파메이트 350 내지 550 g/l, 붕산 25 내지 45 g/l, 그리고 염화니켈 4 내지 20 g/l을 포함하고, 이의 pH 범위는 3
11 11
제10항에 있어서, 상기 전기도금 중 캐소드 전류 밀도는 0
12 12
0
13 13
제12항에 따른 니켈 스탬프를 이용하여 고분자 성형 재료를 캐스팅 또는 사출 성형하는 단계를 포함하며,여기서, 상기 고분자는 폴리디메틸 실록산(PDMS 또는 h-PDMS), 폴리메틸실록산, 부분 알킬화된 폴리메틸실록산, 폴리알킬메틸실록산, 폴리페닐메틸실록산, 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 고분자 성형물의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 캐스팅 또는 사출 성형 온도는 상온 내지 300℃ 범위 내에서 선택되고, 그리고성형 압력은 10 내지 2,500 kgf/cm2 범위인 것을 특징으로 하는 고분자 성형물의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 고분자 성형물을 이용하여 미세 채널을 구비하는 미세 유체 디바이스를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 성형물의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국생명공학연구원 글로벌프론티어 연구개발사업 (바이오나노 핼스가드연구단) 헬스가드용 3D 복합구조체 기반 센싱 플랫폼 기술 및 응용 기술 개발