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시냅스 소자(synapse device)로서, 채널 부재; 상기 채널 부재에 직접 접촉된 전하 트랩층; 상기 전하 트랩층 상에 배치된 블로킹 절연층; 상기 블로킹 절연층 상에 배치된 게이트 전극; 상기 채널 부재의 제 1 영역에 연결된 소스; 및 상기 채널 부재의 제 2 영역에 연결된 드레인을 포함하고, 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압의 인가 조건에 따라 상기 시냅스 소자의 포스트-시냅틱 전류(post-synaptic current)(PSC)가 변화되고 시냅틱 가소성(synaptic plasticity)이 제어되는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 시냅스 소자는 SONS (doped poly-silicon/blocking oxide/charge trap nitride/silicon channel) 구조를 갖는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 실리콘을 포함하고, 상기 블로킹 절연층은 산화물을 포함하고, 상기 전하 트랩층은 질화물을 포함하고, 상기 채널 부재는 실리콘을 포함하는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전압의 인가에 의해 상기 전하 트랩층에 트랩된 전하가 시간 경과에 따라 상기 채널 부재로 확산되어 유출되는 특성을 갖는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전압의 펄스의 크기(amplitude), 지속시간(duration), 빈도(frequency), 횟수(number) 및 타이밍(timing) 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 시냅틱 가소성이 제어되는 시냅스 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 시냅스 소자는 SADP(spike amplitude dependent plasticity) 특성, SDDP(spike duration dependent plasticity) 특성, SFDP(spike frequency dependent plasticity) 특성, SNDP(spike number dependent plasticity) 특성 및 STDP(spike timing dependent plasticity) 특성을 모두 갖는 시냅스 소자
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청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 시냅스 소자를 포함하는 뉴로모픽 소자(neuromorphic device)
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제 7 항에 있어서, 상기 시냅스 소자와 연결된 CMOS 주변 회로를 더 포함하는 뉴로모픽 소자
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시냅스 소자의 동작 방법으로서, 채널 부재, 상기 채널 부재에 직접 접촉된 전하 트랩층, 상기 전하 트랩층 상에 배치된 블로킹 절연층, 상기 블로킹 절연층 상에 배치된 게이트 전극, 상기 채널 부재의 제 1 영역에 연결된 소스 및 상기 채널 부재의 제 2 영역에 연결된 드레인을 포함하는 시냅스 소자를 마련하는 단계; 및 상기 시냅스 소자의 상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 전압의 인가 조건에 따라 상기 시냅스 소자의 포스트-시냅틱 전류(post-synaptic current)(PSC)가 변화되고 시냅틱 가소성(synaptic plasticity)이 제어되는 시냅스 소자의 동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 시냅스 소자는 SONS (doped poly-silicon/blocking oxide/charge trap nitride/silicon channel) 구조를 갖는 시냅스 소자의 동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 실리콘을 포함하고, 상기 블로킹 절연층은 산화물을 포함하고, 상기 전하 트랩층은 질화물을 포함하고, 상기 채널 부재는 실리콘을 포함하는 시냅스 소자의 동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 시냅스 소자는 상기 게이트 전압의 인가에 의해 상기 전하 트랩층에 트랩된 전하가 시간 경과에 따라 상기 채널 부재로 확산되어 유출되는 특성을 갖는 시냅스 소자의 동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 게이트 전압의 펄스의 크기(amplitude), 지속시간(duration), 빈도(frequency), 횟수(number) 및 타이밍(timing) 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 시냅틱 가소성이 제어되는 시냅스 소자의 동작 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 시냅스 소자는 SADP(spike amplitude dependent plasticity) 특성, SDDP(spike duration dependent plasticity) 특성, SFDP(spike frequency dependent plasticity) 특성, SNDP(spike number dependent plasticity) 특성 및 STDP(spike timing dependent plasticity) 특성을 모두 갖는 시냅스 소자의 동작 방법
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