| 1 |
1
광 검출을 위한 활성 물질로 이루어지는 나노 멤브레인 어레이 패턴을 구비하는 연신성 박막을 준비하는 단계; 및상기 연신성 박막에 인장 변형을 인가하여 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계는 상기 연신성 박막에 이축 인장변형을 인가하여 상기 활성 물질의 밴드갭을 감소시키는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 활성 물질의 밴드갭을 감소시키는 단계는 상기 활성 물질의 밴드갭을 기본 밴드갭 보다 낮은 제1 밴드갭으로 감소시킴으로써, 제1 파장 대역의 광을 감지할 수 있는 상기 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 기본 밴드갭은 상기 연신성 박막에 상기 이축 인장 변형이 인가되기 전의 상기 활성 물질의 밴드갭이고, 상기 제1 파장 대역은 상기 기본 밴드갭을 가지는 활성 물질에 의해 감지될 수 없는 파장 대역인, 광 검출기 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 활성 물질은 실리콘, 이황화몰리브덴, 이셀레늄화몰리브덴, 이황화텅스텐, 이셀레늄화텅스텐, 이텔루륨화몰리브덴 또는 그래핀을 포함하고, 상기 연신성 박막은 유연성 폴리머 필름 상에 상기 나노 멤브레인 어레이 패턴을 구비하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 활성 물질은 10 nm 이하의 두께를 가지는 실리콘 나노멤브레인을 포함하고, 상기 기본 밴드갭은 1
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 제1 파장 대역은 1300 ~ 1550 nm 의 단파장 적외선 대역을 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계는 가스 압력에 의해 상기 연신성 박막에 부풀림을 일으켜 상기 인장 변형을 인가하는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계는 상기 가스 압력에 의해 상기 연신성 박막을 상부 측 또는 하부 측으로 반구 형상으로 부풀림으로써 상기 인장 변형을 인가하는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서를 제조하는 단계는 상기 연신성 박막의 둘레 부분을 외측 방향으로 방사상으로 잡아 당겨 상기 연신성 박막을 늘림으로써 상기 연신성 박막에 인장 변형을 인가하는 단계를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 연신성 박막을 준비하는 단계는:기판 상에 상기 활성 물질로 이루어지는 나노멤브레인 어레이를 형성하는 단계;상기 나노멤브레인 어레이를 엘라스토머 스탬프를 사용하여 유연성을 가지는 폴리머 필름 상에 전사하는 단계; 및상기 폴리머 필름 상에 상기 나노멤브레인 어레이의 각 픽셀에 연결되도록 연신성 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 광 검출기 제조 방법
|
| 12 |
12
광 검출을 위한 활성 물질로 이루어지는 나노 멤브레인 어레이 패턴을 구비하는 연신성 박막에 인장 변형을 인가하여 형성되는 광 검출 어레이 센서를 포함하고,상기 광 검출 어레이 센서의 상기 활성 물질은, 상기 인장 변형에 의해 기본 밴드갭으로부터 감소된 제1 밴드갭을 가지고, 상기 기본 밴드갭은 상기 연신성 박막에 상기 인장 변형이 인가되기 전의 상기 활성 물질의 밴드갭인, 광 검출기
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서는 제1 파장 대역의 광을 감지 가능하고, 상기 제1 파장 대역은 상기 기본 밴드갭을 가지는 활성 물질에 의해 감지될 수 없는 파장 대역인, 광 검출기
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 활성 물질은 실리콘, 이황화몰리브덴, 이셀레늄화몰리브덴, 이황화텅스텐, 이셀레늄화텅스텐, 이텔루륨화몰리브덴 또는 그래핀을 포함하고, 상기 연신성 박막은 유연성 폴리머 필름 상에 상기 나노 멤브레인 어레이 패턴을 구비하는, 광 검출기
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 활성 물질은 10 nm 이하의 두께를 가지는 실리콘 나노멤브레인을 포함하고, 상기 기본 밴드갭은 1
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 제1 파장 대역은 1300 ~ 1550 nm 의 단파장 적외선 대역을 포함하는, 광 검출기
|
| 17 |
17
제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 검출 어레이 센서는 상기 인장 변형에 의해 반구면으로 부풀려진 형상을 가지는, 광 검출기
|
| 18 |
18
제12항 내지 제16항 중 어느 한 항의 광 검출기를 제조하기 위한 광 검출기 제조 장치로서,광 검출을 위한 활성 물질로 이루어지는 나노 멤브레인 어레이 패턴을 구비하는 연신성 박막에 인장 변형을 인가하여, 인장 변형이 인가된 광 검출 어레이 센서를 제조하도록 구성되는 인장 변형 장치를 포함하는, 광 검출기 제조 장치
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 인장 변형 장치는:상기 연신성 박막을 지지하고, 상기 연신성 박막의 제1 면의 둘레 부분을 밀봉시키도록 구성되고, 상기 제1 면과 접하는 공간을 내부에 구비하는 챔버; 및상기 공간 내의 가스 압력을 제어하여 상기 연신성 박막을 부풀리도록 구성되는 가스 제어 장치를 포함하는, 광 검출기 제조 장치
|
| 20 |
20
제18항에 있어서,상기 인장 변형 장치는:상기 연신성 박막의 둘레를 따라 배치되고, 상기 연신성 박막의 둘레 부분을 지지하도록 구성되는 다수의 인장 장치들; 및상기 다수의 인장 장치들을 방사상으로 이동시켜 상기 연신성 박막에 인장 변형을 인가하는 가동 장치를 포함하는, 광 검출기 제조 장치
|
