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제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치되는 강유전체층; 상기 강유전체층에 배치되는 산화물 채널층; 및 상기 산화물 채널층 상에 배치되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 강유전체층은, 300℃ 이하의 저온 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 강유전체층은, 집속된 마이크로파 유도 가열을 통해 결정화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자는, 상기 강유전체층 및 상기 산화물 채널층 사이에 개재되는 절연층을 더 포함하고, 상기 산화물 채널층은, 상기 절연층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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제3항에 있어서,상기 강유전체층은, 상기 절연층과 상이한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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제3항에 있어서,상기 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자는, 상기 강유전체층 및 상기 절연층 사이에 개재되는 제3 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자는, 복수 개 구비되어 수직 방향으로 적층되어 수직 TCAM 장치를 구성하거나, 복수 개 구비되어 수평 방향으로 배치된 채 수평 TCAM 장치를 구성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자
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7
기판 상 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 강유전체층을 배치하는 단계; 상기 강유전체층에 산화물 채널층을 배치하는 단계; 및 상기 산화물 채널층 상에 제2 전극층을 배치하는 단계를 포함하고, 상기 강유전체층을 배치하는 단계는, 300℃ 이하의 저온 공정을 통해 상기 강유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 형성하는 단계는, 집속된 마이크로파 유도 가열을 통해 상기 강유전체층을 결정화하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 강유전체층 및 상기 산화물 채널층 사이에 절연층을 개재하는 단계을 더 포함하고, 상기 산화물 채널층을 배치하는 단계는, 상기 절연층 상에 상기 산화물 채널층을 배치하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자의 제조 방법
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10
제9항에 있어서,상기 강유전체층을 형성하는 단계는, 상기 절연층과 상이한 면적을 갖도록 상기 강유전체층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 메모리 소자의 제조 방법
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