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메모리 윈도우 및 내구성 향상을 위한 강유전체 메모리 소자에 있어서, 바디 전극을 갖는 기판;상기 기판 상에 배치되고, 강유전체층을 포함하는 게이트 전극; 및상기 기판 상에 배치되고, 상기 게이트 전극으로부터 각각 이격되어 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하고,상기 바디 전극에는,상기 강유전체 메모리 소자의 동작 시, 네거티브 바이어스가 인가되는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 바디 전극으로 상기 네거티브 바이어스가 인가됨에 따라, 상기 강유전체 메모리 소자에서 정공 트래핑(hole trapping)이 억제되는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 강유전체 메모리 소자는, 전자 트래핑(electron trapping) 및 전자 디트래핑(electron detrapping)을 통해, 프로그램 동작 및 이레이즈 동작을 수행하는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 강유전체 메모리 소자는,n형 강유전체 메모리 소자 또는 p형 강유전체 메모리 소자 중 적어도 하나를 포함하는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은,상기 기판의 표면에 형성되고, 상기 기판과 상기 강유전체층 사이에 배치되는 계면층; 및상기 강유전체층 상에 배치되는 전극층을 더 포함하는,강유전체 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은,상기 소스 및 드레인 전극들이 각각 배치되고, 서로로부터 이격되어 배치되는 이온 도핑 영역들을 갖는,강유전체 메모리 소자
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메모리 윈도우 및 내구성 향상을 위한 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,바디 전극이 형성될 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에, 강유전체층을 포함하는 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에, 상기 게이트 전극으로부터 각각 이격되는 상기 바디 전극과 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 바디 전극에는,상기 강유전체 메모리 소자의 동작 시, 네거티브 바이어스가 인가되는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 바디 전극으로 상기 네거티브 바이어스가 인가됨에 따라, 상기 강유전체 메모리 소자에서 정공 트래핑이 억제되는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 강유전체 메모리 소자는, 전자 트래핑 및 전자 디트래핑을 통해, 프로그램 동작 및 이레이즈 동작을 수행하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 강유전체 메모리 소자는,n형 강유전체 메모리 소자 또는 p형 강유전체 메모리 소자 중 적어도 하나를 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 기판의 표면에 형성되는 계면층 상에, 상기 강유전체 층을 형성하는 단계; 및상기 강유전체층 상에, 전극층을 형성하는 단계를 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계는,상기 기판의 표면을 통해 이온을 주입하여, 상기 기판에서 서로로부터 이격되어 배치되는 이온 도핑 영역들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소스 및 드레인 전극들은,상기 이온 도핑 영역들에 각각 배치되는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 강유전체층이 결정화되도록, 열처리를 적용하는 단계를 더 포함하는,강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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