요약 | 본 발명은 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 청·녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드(light emitting diode: LED)와 레이저 다이오드(laser diode: LD) 제작의 핵심기술 중 하나인 양질의 오믹접촉(Ohmic Contact) 형성에 관한 것이다. 본 발명은 p형 질화갈륨 반도체 상부층에 p형 열전 산화물 박막(p-type thermoelectric oxide thin film; PTE)을 형성하는 합금 또는 고용체(alloys or solid solutions)를 증착한 다음, 열처리 공정을 통해서 p형 질화갈륨과 p형 열전 산화물간의 에너지 밴드갭 조절과 표면 부위에 실효 캐리어 농도의 증가를 통해서 질화갈륨과의 계면에서의 쇼트키 장벽의 높이 및 폭을 각각 감소시켜 우수한 전류-전압특성과 낮은 비접촉 저항값을 갖으면서 동시에 단파장 영역에서 높은 투과도 를 지닌 고품위 오믹접촉 시스템을 제공하는 데 있다. 발광다이오드, 레이저 다이오드, 오믹접촉, 질화갈륨, p형 열전 산화물 |
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Int. CL | H01L 33/40 (2014.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020030047273 (2003.07.11) |
출원인 | 삼성전자주식회사, 광주과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0707167-0000 (2007.04.06) |
공개번호/일자 | 10-2005-0007702 (2005.01.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20070413) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2003.07.11) |
심사청구항수 | 17 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 임동석 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 송준오 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
3 | 김상호 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
4 | 성태연 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
2 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2003.07.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0253589-21 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2003.11.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-5076055-97 |
3 | 대리인선임신고서 Notification of assignment of agent |
2004.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-5012477-59 |
4 | 출원인변경신고서 Applicant change Notification |
2004.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-5012431-60 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2004.07.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0031183-30 |
6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2005.03.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2005.04.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0023877-15 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2005.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5072608-11 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2005.07.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0351943-84 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2005.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5079334-14 |
11 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2005.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0537861-09 |
12 | 의견서 Written Opinion |
2005.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0537860-53 |
13 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2006.01.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0007306-20 |
14 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2006.02.04 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2006-0003440-96 |
15 | 심사전치출원의 심사결과통지서 Notice of Result of Reexamination |
2006.04.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0192218-05 |
16 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0109574-43 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 p형 질화갈륨 상부에 적층되는 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution)를 포함한 제 1전극층 및상기 제 1전극층 상부에 적층되고, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 중 적어도 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하되,상기 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution; Ni-X)는 니켈(Ni)을 모체로 하고, 상기 X원소는 Na, Ca, K, Cs, Sr 및 Ba으로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제 1항에 있어서, 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution; Ni-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at |
4 |
4 p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution)로 구성된 제1 전극층과; 상기 제 1전극층 상부에 적층되고, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
5 |
5 제 4항에 있어서,구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution; Cu-X)는 구리(Cu)를 모체로 하고 X 성분으로 원소 주기율표상에서 1족 원소, 3족 원소 및 Zn, Re, Ru, Zr, Ti 중에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
6 |
6 제 4항에 있어서, 구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution; Cu-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at |
7 |
7 p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution)로 구성된 제 1전극층 및 상기 제 1 전극층 상부에 적층되며 Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
8 |
8 제 7항에 있어서,코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution; Co-X)는 코발트(Co)를 모체로 하고 X 성분으로 원소 주기율표상에서 1족 원소, Mg를 제외한 2족 원소, 3족 원소 및 Zn, Pd, Ag, Rh, Re, Pt, Co, Ru,Ir, Zr, V, Ti 군에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
9 |
9 제 7항에 있어서, 코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution; Co-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at |
10 |
10 제 1항, 제4항 및 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 제 1전극층의 두께는 1~10,000Å 및 제 2전극층의 두께는 1~50,000Å 으로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
11 |
11 p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 Al, Ga 및 In중에서 선택되는 1종 이상의 성분으로 도핑된 니켈 산화물로 구성된 제 1전극층 및 상기 제 1전극층 상부에 적층되며 Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
12 |
12 제 11항에 있어서, 니켈 산화물(NiO)은 원자량으로 0 |
13 |
13 제 5항 또는 제8항에 있어서, 제 1족원소는 Li, Na, K, Cs, Rb 중에서 선택되는 1종을, 제 2족 원소는 Be, Ca, Sr, Ba 선택되는 1종을, 제 3족 원소는 Sc, La 를 포함한 모든 란탄늄 계열에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
14 |
14 제 1항, 제 4항, 제 7항 및 제 11 항중 어느 한 항에 있어서, p형 질화갈륨과 제 1전극층 사이에는 Ni, Au, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Ir 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 순수 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
15 |
15 제 14 항에 있어서, p형 질화갈륨 상부에 삽입된 순수 금속 전극층의 두께는 1~ 1,000 Å; 제 1전극층의 두께는 1~10,000Å 및 제 2전극층의 두께는 1~50,000Å으로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
16 |
16 제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항, 제 11 항 내지 제 12 항 및 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, p형 질화갈륨은 AlxInyGazN (0 〈 x, y, z 〈 1, x+y+z = 1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 |
17 |
17 p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 고용체를 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법 |
18 |
18 p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 PdCoO2, NaxCoO2, NaCo2O4, La2CuO4 중 선택되는 1종을 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법 |
19 |
18 p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 PdCoO2, NaxCoO2, NaCo2O4, La2CuO4 중 선택되는 1종을 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | JP04792212 | JP | 일본 | FAMILY |
2 | JP17033212 | JP | 일본 | FAMILY |
3 | JP23151426 | JP | 일본 | FAMILY |
4 | US07687908 | US | 미국 | FAMILY |
5 | US20050006229 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | JP2005033212 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
2 | JP2011151426 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
3 | JP4792212 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
4 | US2005006229 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
5 | US7687908 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0707167-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20030711 출원 번호 : 1020030047273 공고 연월일 : 20070413 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070226 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 p형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
2 |
(권리자) 삼성엘이디 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
2 |
(의무자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
3 |
(의무자) 삼성엘이디 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
3 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 999,000 원 | 2007년 04월 09일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2010년 03월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2011년 04월 04일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 414,000 원 | 2012년 03월 29일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2013년 03월 29일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2014년 03월 31일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2015년 03월 31일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,175,000 원 | 2016년 03월 31일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 1,175,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 1,175,000 원 | 2018년 03월 30일 | 납입 |
제 13 년분 | 금 액 | 1,295,000 원 | 2019년 03월 29일 | 납입 |
제 14 년분 | 금 액 | 1,295,000 원 | 2020년 03월 30일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2003.07.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0253589-21 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2003.11.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2003-5076055-97 |
3 | 대리인선임신고서 | 2004.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-5012477-59 |
4 | 출원인변경신고서 | 2004.01.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-5012431-60 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2004.07.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2004-0031183-30 |
6 | 선행기술조사의뢰서 | 2005.03.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
7 | 선행기술조사보고서 | 2005.04.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0023877-15 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2005.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5072608-11 |
9 | 의견제출통지서 | 2005.07.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0351943-84 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2005.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-5079334-14 |
11 | 명세서등보정서 | 2005.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0537861-09 |
12 | 의견서 | 2005.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0537860-53 |
13 | 거절결정서 | 2006.01.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0007306-20 |
14 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2006.02.04 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2006-0003440-96 |
15 | 심사전치출원의 심사결과통지서 | 2006.04.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0192218-05 |
16 | 등록결정서 | 2007.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0109574-43 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
기술번호 | KST2014009768 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 광주과학기술원 |
기술명 | 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 p형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
본 발명은 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 청·녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드(light emitting diode: LED)와 레이저 다이오드(laser diode: LD) 제작의 핵심기술 중 하나인 양질의 오믹접촉(Ohmic Contact) 형성에 관한 것이다. 본 발명은 p형 질화갈륨 반도체 상부층에 p형 열전 산화물 박막(p-type thermoelectric oxide thin film; PTE)을 형성하는 합금 또는 고용체(alloys or solid solutions)를 증착한 다음, 열처리 공정을 통해서 p형 질화갈륨과 p형 열전 산화물간의 에너지 밴드갭 조절과 표면 부위에 실효 캐리어 농도의 증가를 통해서 질화갈륨과의 계면에서의 쇼트키 장벽의 높이 및 폭을 각각 감소시켜 우수한 전류-전압특성과 낮은 비접촉 저항값을 갖으면서 동시에 단파장 영역에서 높은 투과도 를 지닌 고품위 오믹접촉 시스템을 제공하는 데 있다. 발광다이오드, 레이저 다이오드, 오믹접촉, 질화갈륨, p형 열전 산화물 |
개발상태 | 특허만신청(등록) |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 신소재 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1340010230 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2001 |
연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~201202 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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1 | 2006101001015 | 2006원1015 | 2003년 특허출원 제0047273호 거절결정불복심판 | 2006.02.04 | 2007.02.16 |