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고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 ｐ형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014009768
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨(GaN) 반도체를 이용한 청·녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드(light emitting diode: LED)와 레이저 다이오드(laser diode: LD) 제작의 핵심기술 중 하나인 양질의 오믹접촉(Ohmic Contact) 형성에 관한 것이다. 본 발명은 p형 질화갈륨 반도체 상부층에 p형 열전 산화물 박막(p-type thermoelectric oxide thin film; PTE)을 형성하는 합금 또는 고용체(alloys or solid solutions)를 증착한 다음, 열처리 공정을 통해서 p형 질화갈륨과 p형 열전 산화물간의 에너지 밴드갭 조절과 표면 부위에 실효 캐리어 농도의 증가를 통해서 질화갈륨과의 계면에서의 쇼트키 장벽의 높이 및 폭을 각각 감소시켜 우수한 전류-전압특성과 낮은 비접촉 저항값을 갖으면서 동시에 단파장 영역에서 높은 투과도 를 지닌 고품위 오믹접촉 시스템을 제공하는 데 있다. 발광다이오드, 레이저 다이오드, 오믹접촉, 질화갈륨, p형 열전 산화물
Int. CL H01L 33/40 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030047273 (2003.07.11)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0707167-0000 (2007.04.06)
공개번호/일자 10-2005-0007702 (2005.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20070413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임동석 대한민국 광주광역시 북구
2 송준오 대한민국 광주광역시 북구
3 김상호 대한민국 광주광역시 북구
4 성태연 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0253589-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012477-59
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5012431-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0023877-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0351943-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0537861-09
12 의견서
Written Opinion		 2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0537860-53
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0007306-20
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0003440-96
15 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2006.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0192218-05
16 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0109574-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 질화갈륨 상부에 적층되는 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution)를 포함한 제 1전극층 및상기 제 1전극층 상부에 적층되고, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 중 적어도 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하되,상기 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution; Ni-X)는 니켈(Ni)을 모체로 하고, 상기 X원소는 Na, Ca, K, Cs, Sr 및 Ba으로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 니켈계 합금 또는 고용체(Ni-based Alloy or Solid Solution; Ni-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at
4 4
p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution)로 구성된 제1 전극층과; 상기 제 1전극층 상부에 적층되고, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
5 5
제 4항에 있어서,구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution; Cu-X)는 구리(Cu)를 모체로 하고 X 성분으로 원소 주기율표상에서 1족 원소, 3족 원소 및 Zn, Re, Ru, Zr, Ti 중에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
6 6
제 4항에 있어서, 구리계 합금 또는 고용체(Cu-based Alloy or Solid Solution; Cu-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at
7 7
p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution)로 구성된 제 1전극층 및 상기 제 1 전극층 상부에 적층되며 Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
8 8
제 7항에 있어서,코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution; Co-X)는 코발트(Co)를 모체로 하고 X 성분으로 원소 주기율표상에서 1족 원소, Mg를 제외한 2족 원소, 3족 원소 및 Zn, Pd, Ag, Rh, Re, Pt, Co, Ru,Ir, Zr, V, Ti 군에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
9 9
제 7항에 있어서, 코발트계 합금 또는 고용체(Co-based Alloy or Solid Solution; Co-X)를 구성하는 X원소의 첨가비는 1 ~ 99 at
10 10
제 1항, 제4항 및 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 제 1전극층의 두께는 1~10,000Å 및 제 2전극층의 두께는 1~50,000Å 으로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
11 11
p형 질화갈륨 상부에 적층되며 p형 열전 산화물을 형성할 수 있는 Al, Ga 및 In중에서 선택되는 1종 이상의 성분으로 도핑된 니켈 산화물로 구성된 제 1전극층 및 상기 제 1전극층 상부에 적층되며 Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu, Co 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 제 2전극층을 포함하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
12 12
제 11항에 있어서, 니켈 산화물(NiO)은 원자량으로 0
13 13
제 5항 또는 제8항에 있어서, 제 1족원소는 Li, Na, K, Cs, Rb 중에서 선택되는 1종을, 제 2족 원소는 Be, Ca, Sr, Ba 선택되는 1종을, 제 3족 원소는 Sc, La 를 포함한 모든 란탄늄 계열에서 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
14 14
제 1항, 제 4항, 제 7항 및 제 11 항중 어느 한 항에 있어서, p형 질화갈륨과 제 1전극층 사이에는 Ni, Au, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Ir 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 순수 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
15 15
제 14 항에 있어서, p형 질화갈륨 상부에 삽입된 순수 금속 전극층의 두께는 1~ 1,000 Å; 제 1전극층의 두께는 1~10,000Å 및 제 2전극층의 두께는 1~50,000Å으로 형성됨을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
16 16
제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항, 제 11 항 내지 제 12 항 및 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, p형 질화갈륨은 AlxInyGazN (0 〈 x, y, z 〈 1, x+y+z = 1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 p형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉 형성을 위한 박막전극
17 17
p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 고용체를 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법
18 18
p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 PdCoO2, NaxCoO2, NaCo2O4, La2CuO4 중 선택되는 1종을 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법
19 18
p형 질화갈륨 상부에 박막전극을 제조함에 있어서, 질화갈륨 반도체위의 탄소와 산소층을 세척하여 불순물을 제거하는 단계; 2 x 10-6 ~ 5 x 10-8 Torr 진공 하에서 PdCoO2, NaxCoO2, NaCo2O4, La2CuO4 중 선택되는 1종을 증착시키는 단계 및 상기 증착후 250 ~ 800℃의 온도로 공기, 산소 또는 질소 분위기 하에서 30초 ~ 1시간 열처리하는 단계를 포함하는 오믹 접촉 형성을 이용한 발광 다이오드용 및 레이저 다이오드용 박막전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04792212 JP 일본 FAMILY
2 JP17033212 JP 일본 FAMILY
3 JP23151426 JP 일본 FAMILY
4 US07687908 US 미국 FAMILY
5 US20050006229 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2005033212 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2011151426 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP4792212 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2005006229 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7687908 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.