| 요약 |
본 발명은 절연용 유리부분을 포함하는 수직관통형 실리콘 전극의 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 (1) 실리콘 웨이퍼의 한 면에, 실리콘 전극을 형성하기 위한 보호 패턴을 형성하는 단계; (2) 형성된 상기 보호 패턴을 이용하여, 상기 실리콘 웨이퍼를 식각하여 실리콘 전극을 형성하는 단계; (3) 실리콘 전극이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼와 유리 웨이퍼를 접합하는 단계; (4) 접합된 상기 유리 웨이퍼를 녹이는 단계; 및 (5) 실리콘 전극의 두께만큼만 남도록, 접합된 상기 실리콘 웨이퍼와 상기 유리 웨이퍼의 양면을 가공하는 단계를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명의 절연용 유리부분을 포함하는 수직관통형 실리콘 전극의 제작 방법에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 특정 부분에 관통전극용 비어홀을 뚫은 다음 금속이나 폴리실리콘과 같은 물질을 비어홀에 채워서 관통전극을 형성하는 기존의 제작 방법들과 달리, 먼저 관통전극이 될 실리콘 기둥을 형성한 다음, 기둥의 주변부를 절연용 유리로 채워서 관통전극을 제조함으로써, 비어홀을 뚫고, 비어홀 내부를 금속물질들로 채우는 복잡한 과정이 필요하지 않기 때문에, 관통전극 제조 공정을 크게 단순화하는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명의 제작 방법에 따르면, 유리 웨이퍼를 녹여 채우기 전에 다결정 실리콘을 증착하고, 유리 웨이퍼를 녹여 실리콘 형상 사이에 채워 유리 웨이퍼로부터 보론 이온들이 실리콘 안으로 열 확산되도록 함으로써, 수직관통형 전극의 저항을 크게 낮출 수 있다. 또한, 통상적인 방식으로 제작된 관통전극은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정에서 사용되는 CMP 슬러리(Slurry)의 영향으로, 관통전극이 칩의 표면 아래로 많이 패이며, 관통전극 간의 패인 깊이가 서로 달라, 추후 공정에서 수율이 낮아지는 단점이 있으나, 본 발명에서 제안하는 방법으로 관통전극을 제조하면, 녹인 유리 기판 표면에서 실리콘 전극 면까지의 깊이가 매우 균일하기 때문에, 높은 수율을 얻는 것이 가능해진다. 결과적으로, 공정 단순화와 수율 향상으로 인한 완제품의 단가절감이 가능해진다.
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