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반도체 박막 구조 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015134936
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약 본 발명은 반도체 기판 위에 격자 상수나 열팽창 계수가 반도체 기판과 다른 이종 반도체 박막을 형성한 이종 접합 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것으로서, 표면을 평탄하게 유지하며 낮은 결함밀도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 동시에 반도체 박막 구조의 형성 후 냉각시 열팽창 계수 차이에 의한 기판의 휘어짐을 방지할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 저온에서 반도체 기판과 격자 상수나 열팽창 계수가 다른 이종 반도체 물질로 이루어진 박막을 형성시켜 완충층으로 사용하고, 고온에서 저온에서와 동일한 물질을 갖는 박막을 형성하여 에피층으로 사용하는 2단계 성장법을 이용한다. 또한 2단계 성장 중 저온 성장 및 고온 성장시 중 적어도 어느 한 때에 탄소 함유층을 삽입하도록 한다. 탄소 함유층은 격자불일치(misfit) 전위의 생성 에너지를 낮추고 관통 전위 등의 결함이 탄소 함유층 내부에 고착될 수 있게 한다. 이로써 고온 성장한 반도체 박막은 낮은 결함밀도를 가질 수 있고, 성장 이후 온도 하강시 기판과 박막의 열팽창 계수 차이로 인한 휘어짐을 탄소 함유층 내부의 격자불일치 전위 생성을 통해 억제할 수 있다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020080088091 (2008.09.08)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1006480-0000 (2010.12.30)
공개번호/일자 10-2010-0029346 (2010.03.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시 강남구
2 김현우 대한민국 경기도 광명시 철
3 박성현 대한민국 서울특별시 성북구
4 김동혁 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0635139-32
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0113525-47
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0667853-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044735-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0343482-67
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0653330-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0666513-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0666570-72
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0579390-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고 400 ℃ ~ 700 ℃의 온도범위에서 형성되며 상기 기판과는 다른 이종의 화합물 반도체 저온 완충층; 탄소 함유층; 및 700 ℃ ~ 1200 ℃의 온도범위에서 형성된 화합물 반도체 고온 에피층을 포함하며, 상기 탄소 함유층은 상기 저온 완충층 내부에 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 S:C (S : 상기 완충층을 구성하는 반도체 물질)인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 탄소가 1018 ~ 1022 cm-3의 함량으로 인입된 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 단일 혹은 다중 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
5 5
기판 상에 400 ℃ ~ 700 ℃의 온도범위에서 상기 기판과는 다른 이종의 화합물 반도체 저온 완충층을 형성하는 단계; 및 상기 저온 완충층 상에 700 ℃ ~ 1200 ℃의 온도범위에서 화합물 반도체 고온 에피층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 저온 완충층의 성장시 탄소 함유층을 삽입하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판은 사파이어이고 상기 완충층 및 에피층은 GaN층이며 상기 탄소 함유층을 삽입하기 위해 다이메틸 하이드라진(DMHy; N2H4(CH3)2)을 추가 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 탄소 함유층은 M(CH3)x(M:metal) 또는 CxH2x+2 또는 (CH3)x기를 가지고 있는 유기 물질을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.