맞춤기술찾기

이전대상기술

점진적 식각법 및 나노 임프린트기술을 이용하여 다양한 크기의 나노 패턴을 단일 기판에 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015133163
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 점진적 식각법 및 나노 임프린트기술을 이용하여 다양한 크기의 나노 패턴을 단일 기판에 제조하는 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 점진적인 식각을 통해 다양한 크기의 나노 구멍이 단계적으로 형성된 단일 기판을 제작하는 방법과, 이렇게 제작된 기판을 몰드로 하여 나노 임프린트기술을 통해 다양한 크기의 나노 구조를 갖는 고분자 단일 평판을 구현할 수 있는 기술에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 단일 기판에 다양한 크기의 나노기공 패턴을 제조하는 방법에 있어서, ⅰ) 알루미늄 기판을 양극산화시켜 일정한 크기의 나노기공 패턴을 제조하는 단계; ⅱ) 상기 양극산화 알루미늄 기판을 식각용액에 점진적으로 노출시켜 단일기판에 다양한 크기의 나노기공 패턴을 형성하는 단계; ⅲ) 다양한 크기의 나노기공 패턴을 이용하여 다양한 크기의 나노구조를 갖는 고분자 단일 평판을 구현하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 방법이다.양극산화 알루미늄, 나노기공
Int. CL H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090096352 (2009.10.09)
출원인 고려대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1655382-0000 (2016.09.01)
공개번호/일자 10-2011-0039075 (2011.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.08)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이규백 대한민국 서울특별시 성북구
2 이원배 대한민국 경기도 남양주시
3 박보기 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 박진호 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0620727-63
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0079569-92
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0729157-15
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760022-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0372027-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0962624-53
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0014924-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0024270-64
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0229691-22
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0229701-02
18 등록결정서
Decision to grant
2016.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0544832-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음 단계를 포함하는 단일 기판에 기공의 크기가 특정 방향에 따라 선형적으로 증가된 패턴의 형성방법:ⅰ) 알루미늄 기판을 양극산화시켜 일정한 크기의 나노기공 패턴을 형성하는 단계; 및 ⅱ) 상기 양극산화 알루미늄 기판을 식각 용액에 침적시키되, 상기 침적은 60 내지 500분에 걸쳐 일정한 속도로 수행하며, 상기 식각 용액에 노출되는 시간에 따라 기공의 크기가 선형적으로 증가된 패턴을 형성하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 ⅱ) 단계의 식각 용액은 인산 용액인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조된 기공의 크기가 특정 방향에 따라 선형적으로 증가된 패턴이 형성된 단일 기판을 몰드로 사용하여 나노기공 패턴을 고분자 평판위에 나노 임프린트 방법으로 전사시킴으로써, 기공의 크기가 특정 방향에 따라 선형적으로 증가된 나노구조가 형성된 고분자 평판의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 고분자 평판은 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협럭재단 서울시 산학연 협력사업(기술기반 구축사업) 나노바이오 시스템 및 응용소재