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실리콘 나노선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049388
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유도 결합형 플라즈마의 반응성 이온 식각 장비를 이용한 원스톱 공정에 의한 하향식 실리콘 나노선 제조 방법이 개시된다. 상기 실리콘 나노선 제조 방법은 포토리소그래피 공정을 통해 기판의 소자 형성층에 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층으로 실리콘 나노선을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020100020115 (2010.03.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1172358-0000 (2012.08.02)
공개번호/일자 10-2011-0100993 (2011.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영환 대한민국 서울특별시 노원구
2 김상헌 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성일 대한민국 서울특별시 노원구
4 김춘근 대한민국 서울특별시 강남구
5 김용태 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0143685-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0745338-53
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0120480-80
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0120479-33
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0442171-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하향식 방법으로 실리콘 나노선을 제조하는 방법에 있어서,실리콘 기판층과, 상기 실리콘 기판층 상의 매몰 산화층과, 상기 매몰 산화층 상의 소자 형성층으로 구성된 기판을 준비하는 단계;포토리소그래피 공정을 통해 기판의 소자 형성층에 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계; 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층을 식각하여 실리콘 나노선을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 나노선의 상층에 분포한 잔류 포토레지스트 패턴 및 표면 불순물을 제거하는 단계를 포함하고,상기 각 단계는 유도 결합형 플라즈마의 반응성 이온 식각 장비에서 연속적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계는, 유도 결합형 플라즈마 방식을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계는, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기를 축소하여 100 내지 150 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 포토레지스트 선 패턴의 크기 축소화를 통해 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계는, 반응 가스로 산소 가스(O2)를 이용한 등방성 식각 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 포토리소그래피 공정을 통해 기판의 소자 형성층에 포토레지스트 선 패턴을 형성하는 단계는, 상기 소자 형성층 상부에 1
6 6
제1항에 있어서,상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층을 식각하여 실리콘 나노선을 형성하는 단계는, 유도 결합형 플라즈마의 반응성 이온 식각 방식을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층을 식각하여 실리콘 나노선을 형성하는 단계는, 반응 가스로 SF6/C4F8/O2/Ar 혼합 가스를 사용하여 상기 소자 형성층을 수직 식각하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 SF6/C4F8/O2/Ar 혼합 가스에서 SF6 및 C4F8 가스의 혼합비는 0
9 9
제7항에 있어서, 상기 나노미터 선폭의 포토레지스트 선 패턴을 마스크층으로 하여 상기 소자 형성층을 식각하여 실리콘 나노선을 형성하는 단계는, ICP 전력을 80W 내지 100W, RIE 전력을 20W 내지 50W 로 하여 상기 소자 형성층을 식각하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
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삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 실리콘 나노선의 상층에 분포한 잔류 포토레지스트 패턴 및 표면 불순물을 제거하는 단계는, 반응성 이온 식각 방식을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 실리콘 나노선 상층에 분포한 잔류 포토레지스트 패턴 및 표면 불순물을 제거하는 단계는, 반응 가스로 산소 가스(O2)를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 제조 방법
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.