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산화아연 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014050307
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계; 상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계; 상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110027226 (2011.03.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1192221-0000 (2012.10.11)
공개번호/일자 10-2012-0108851 (2012.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20121017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박시윤 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 김경준 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김연상 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 곽현규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0221979-17
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0029422-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0337342-86
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024082-45
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0336362-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0578875-74
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0578888-67
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0599857-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계;상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계;상기 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및상기 반도체 막을 가열하여 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 n형 산화아연 막의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 도핑된 산화아연 막 내의 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속의 농도가 0
3 3
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 기판이 플라스틱인 n형 산화아연 막의 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 가열 온도는 300℃ 이하인 n형 산화아연 막의 제조방법
5 5
플렉시블 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 사이를 연결하는 반도체 채널을 포함하되,상기 반도체 채널은 탄소 성분이 없는 아연 전구체를 사용한 용액 공정에 의해 형성되며, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로 도핑된 n형 산화아연 막인 산화아연 박막 트랜지스터
6 6
제5 항에 있어서,상기 플렉시블 기판이 플라스틱 기판인 산화아연 박막 트랜지스터
7 7
제5 항에 있어서, 온/오프 비가 106 이상이고, 전기 이동도가 5 cm2/Vs 이상인 산화아연 박막 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
제5 항에 있어서,상기 용액 공정은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물과 아연 아민 착체의 혼합물을 함유한 용액을 기판 상에 도포하여 수행되는 산화아연 박막 트랜지스터
10 10
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물과 아연 아민 착체의 혼합물을 함유한 용액을 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계;상기 반도체 막을 소결하여 n형 산화아연 막을 형성하는 단계; 및상기 n형 산화아연 막을 패터닝하여 반도체 채널을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 n형 산화아연 막 내의 상기 알칼리 금속 또는 상기 알칼리 토금속의 농도가 1 내지 15 mol% 인 n형 산화아연 막의 제조방법
12 12
산화아연에 암모니아를 반응시켜 아연 아민 착체를 형성하는 단계;상기 아연 아민 착체와 알칼리 금속의 수산화물을 극성 용매 중에서 혼합시켜 아연 수산화물의 용액을 형성하는 단계;상기 용액을 플라스틱 기판 상에 도포하여 반도체 막을 형성하는 단계; 및상기 반도체 막을 300℃ 이하로 가열하여 상기 알칼리 금속으로 도핑된 산화아연 막을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제12 항에 있어서, 온/오프 비가 106 이상이고, 전기 이동도가 5 cm2/Vs 이상인 산화아연 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012134105 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012134105 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012134105 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012134105 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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