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셀레늄화구리인듐 나노입자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014050337
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 균일한 크기를 가지는 셀레늄화구리인듐(Copper Indium Selenide, CIS) 나노입자를 대량으로 생산할 수 있는 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법 및 이에 의하여 제조되는 셀레늄화구리인듐 나노입자에 관한 것이다.
Int. CL C01B 19/04 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110019558 (2011.03.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1246338-0000 (2013.03.15)
공개번호/일자 10-2012-0100568 (2012.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.04)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
2 유정호 대한민국 경기도 군포시 오금로 , -

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0159136-56
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0022387-13
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0197705-16
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0204067-49
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070598-15
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0651560-91
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-1031962-43
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1031963-99
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0137152-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
셀레늄(Se) 금속과 제 1 배위용매(coordinating solvent)를 혼합한 후 CO 기체를 첨가하여 반응시킴으로써 셀레늄 전구체 용액을 준비하는 단계;구리 전구체 및 인듐 전구체를 제 2 배위용매와 혼합하여 구리/인듐 전구체 용액을 준비하는 단계; 및상기 셀레늄 전구체 용액과 상기 구리/인듐 전구체 용액을 혼합한 혼합 용액을 80℃ 내지 300℃의 온도에서 가열하여 셀레늄화구리인듐(Copper Indium Selenide, CIS) 나노입자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 셀레늄화구리인듐 나노입자는 양자크기효과(quantum-confinement regime)가 일어나는 범위 내인 10
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 셀레늄 전구체는 Se-카르보닐-제 1 배위용매의 복합체 형태를 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 구리/인듐 전구체 용액을 준비하는 단계는, 상기 구리 전구체 및 상기 인듐 전구체를 상기 제 2 배위용매와 혼합한 후 100℃ 내지 200℃의 온도에서 진공 처리에 의하여 수분과 공기를 제거하는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 모든 단계는 공기와 수분이 제거된 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 CO 기체는 20℃ 내지 200℃의 온도에서 첨가되는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 셀레늄 전구체 용액과 상기 구리/인듐 전구체 용액 중 어느 하나 또는 둘 다의 온도가 20℃ 내지 300℃인 상태에서 혼합되는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 배위용매는 1차 아민계 화합물을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 1차 아민계 화합물은 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 헥실아민(hexylamine), 부틸아민(butylamine), 프로필아민(propylamine), 아닐린 (aniline), 벤질아민 (benzylamine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 배위용매는 양이온 계면활성제, 중성 계면활성제, 음이온성 계면활성제 및 이들의 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 양이온 계면활성제는 알킬 트라이메틸암모늄 할라이드(alkyl trimethylammonium halide), 알킬 트라이메틸암모늄 하이드록사이드(alkyl trimethyl ammonium hydroxide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 중성 계면활성제는 탄소-탄소 이중결합을 포함할 수 있는 C3-20-알킬아민, 방향족 아민, 탄소-탄소 이중결합을 포함할 수 있는 C3-20-카르복실산, 트리(C3-20-알킬)포스핀 옥사이드, 트리(C3-20-알킬)포스핀, 트리페닐포스핀, C3-20-알킬 티올 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 음이온성 계면활성제는 소디움 알킬 설페이트 (sodium alkyl sulfate), 소디움 알킬 포스페이트 (sodium alkyl phosphate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 C3-20-알킬아민은, 탄소-탄소 이중결합을 포함할 수 있는 C3-20-알킬기를 가지는 1차 아민, 탄소-탄소 이중결합을 포함할 수 있는 2개의 C3-20-알킬기를 가지는 2차 아민, 탄소-탄소 이중결합을 포함할 수 있는 3개의 C3-20-알킬기를 가지는 3차 아민, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
17 17
제 1 항에 있어서,상기 제 2 배위용매는 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 헥실아민(hexylamine), 부틸아민(butylamine), 프로필아민(propylamine), 아닐린 (aniline), 벤질아민 (benzylamine), 다이벤질아민, 트리벤질아민, 다이페닐아민, 트리페닐아민, 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine) 트라이옥틸아민(tri-n-octylamine), 트라이헥실아민(tri-n-hexylamine), 트라이부틸아민(tri-n-butylamine), 올레인산, 알킬 트라이메틸암모늄 할라이드(alkyl trimethylammonium halide), 알킬 트라이메틸암모늄 하이드록사이드(alkyl trimethylammonium hydroxide), 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide: TOPO), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine: TOP), 트리부틸포스핀(tributylphosphine), 트리페닐포스핀, 소디움 알킬 설페이트 (sodium alkyl sulfate), 소디움 알킬 포스페이트 (sodium alkyl phosphate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인 셀레늄화 구리인듐 나노입자의 제조 방법
18 18
제 1 항에 있어서,상기 구리 전구체 및 상기 인듐 전구체는 각각 독립적으로 할로겐화염, 수산화염, 유기산염, 또는 무기산염을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 구리 전구체 및 상기 인듐 전구체는 각각 독립적으로 할로겐화염을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 구리 전구체 및 상기 인듐 전구체는 각각 독립적으로 요오드화염을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
21 21
제 1 항에 있어서,상기 형성된 셀레늄화구리인듐 나노입자를 회수하는 단계를 추가 포함하는, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 셀레늄화구리인듐 나노입자를 회수하는 단계는, 알코올 또는 아세톤을 첨가함으로써 상기 나노입자를 침전시키는 것을 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서,상기 셀레늄화구리인듐 나노입자를 회수하는 단계는, 상기 나노입자를 침전 시킨 후 트리(C3-20-알킬)포스핀 또는 트라이페닐포스핀을 첨가하여 미반응된 상기 셀레늄 전구체를 용해시키는 것을 추가 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서,상기 셀레늄화구리인듐 나노입자를 회수하는 단계는, 상기 침전된 나노입자를 원심분리에 의하여 분리하는 것을 추가 포함하는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자의 제조 방법
25 25
삭제
26 26
삭제
27 27
제 1 항의 방법에 의하여 제조되는 셀레늄화구리인듐 나노입자
28 28
제 27 항에 있어서,균일한 크기를 가지는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자
29 29
삭제
30 30
삭제
31 31
제 27 항에 있어서,규칙적인 공격자점 (空格子點, vacancy)을 가지는 칼코피라이트(chalcopyrite) 결정 형태를 가지는 것인, 셀레늄화구리인듐 나노입자
32 32
제 31 항에 있어서,CuIn2
33 33
제 31 항에 있어서,상기 공격자점에 의한 격자 뒤틀림(tetragonal distortion = c/2a, 여기서 상기 a 및 c는 상기 셀레늄화구리인듐 결정의 격자 상수임)은 0
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2012121515 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012121515 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012121515 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012121515 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 리더연구자지원사업-창의연구사업 산화물 나노결정의 형성과 물리 및 화학적 성질 규명
2 지식경제부 한국과학기술연구원 신재생에너지기술개발사업 유연기판을 이용한 후면전극 염료감응 태양전지 개발 (Flexible Dye-Sensitized Solar Cells with Back Contact Electrode)