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렌즈 어레이가 집적된 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014057862
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 렌즈 어레이가 집적된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 도핑층, 활성층 및 서로 다른 도핑농도를 갖는 제1 및 제2 p형 도핑층이 적층되어 형성된 반도체 구조물과, 상기 반도체 구조물 상에 형성되며, 상기 제1 p형 도핑층이 외부에 노출되도록 식각되어 형성된 렌즈 어레이를 포함함으로써 발광소자에 인가되는 전류의 대부분이 렌즈 어레이가 형성된 부분으로만 흐르도록 하여, 보다 효율적인 전류 주입이 가능하며 광추출 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.렌즈 어레이, 발광소자, 광추출 효율
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01)
출원번호/일자 1020080047164 (2008.05.21)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1259990-0000 (2013.04.25)
공개번호/일자 10-2009-0121055 (2009.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영민 대한민국 광주광역시 북구
2 이용탁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0360936-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0989538-97
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071399-04
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0681858-38
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0035042-68
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0035043-14
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0272322-31
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 도핑층, 활성층 및 서로 다른 도핑농도를 갖는 제1 및 제2 p형 도핑층을 포함하는 반도체 구조물; 및상기 반도체 구조물 상에 형성되며, 렌즈와 렌즈 사이의 공간에서 상기 제1 p형 도핑층이 외부에 노출되어 형성된 렌즈 어레이를 포함하되,상기 제2 p형 도핑층은 상기 제1 p형 도핑층보다 높은 도핑농도를 가지는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 렌즈 어레이를 포함한 반도체 구조물의 상부에 적층되어 형성된 투명전극, 접촉패드 및 상기 n형 도핑층의 하부면에 형성된 n형 하부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 렌즈 어레이의 형태와 동일한 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자
5 5
삭제
6 6
(a) n형 도핑층, 활성층 및 서로 다른 도핑농도를 갖는 제1 및 제2 p형 도핑층을 순차적으로 적층하여 형성된 반도체 구조물을 준비하는 단계; 및(b) 상기 반도체 구조물 상에 상기 제1 p형 도핑층이 렌즈와 렌즈 사이의 공간에서 상기 제1 p형 도핑층이 외부에 노출되어 형성된 렌즈 어레이가 집적되며,상기 제2 p형 도핑층은 상기 제1 p형 도핑층보다 높은 도핑농도를 가지는 발광소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제6 항에 있어서, 상기 단계 (b)에서, 상기 렌즈 어레이는 상기 반도체 기판의 상부에 포토레지스트 리플로우, 홀로그램 리소그라피, 전자빔 리소그라피 또는 나노 임프린트 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 일정한 렌즈 패턴을 형성한 후, 상기 렌즈 패턴을 건식 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자의 제조방법
9 9
제6 항에 있어서, 상기 단계 (b)에서, 상기 렌즈 어레이는 반응성 이온 에칭(RIE)에 의한 건식 식각을 통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자의 제조방법
10 10
제6 항에 있어서, 상기 단계 (c)이후, 상기 렌즈 어레이를 포함한 반도체 구조물의 상부에 투명전극 및 접촉패드를 순차적으로 적층하는 단계 및 상기 n형 도핑층의 하부면에 n형 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 렌즈 어레이의 형태와 동일한 형태를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 렌즈 어레이가 집적된 발광소자의 제조방법
12 12
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.