맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 이의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015117237
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 CMOS 공정에 있어서, 소스와 드레인 영역위에 게르마늄(Ge)을 증착하고 후속 열공정(Rapid Thermal Annealing; RTA)을 통하여 Si1-xGex 물질의 융기된 소스/드레인(Elevated Source/Drain; ESD)을 형성함으로써 소스/드레인간의 저항을 줄이고, Si1-xGex와 Si사이의 불순물 확산율의 차이를 통해 얕은 소스/드레인 접합영역(Shallow Source/Drain Junction Depth)을 형성하며, Si1-xGex에서 Ge의 성분비가 증가함에 따라 상승하는 가전자 에너지대역(Valance Energy Band)의 변화로 에너지 밴드갭(Energy Band Gap)을 작게 하여 전위장벽을 높이는 효과가 있다. 이로서 펀치드루우(punchthrough)와 같은 단채널 효과(Short Channel Effect)를 효과적으로 억제시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제시한다. 모스트랜지스터, 융기된 소스/드레인(ESD), 단채널 효과, 게르마늄, 후속 열공정(RTA), 얇은 접합(Shallow Junction), 전도 에너지대역(Conduction Energy band), 가전자 에너지대역(Valance Energy band)
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66628(2013.01) H01L 29/66628(2013.01)
출원번호/일자 1020050065680 (2005.07.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0618313-0000 (2006.08.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.20)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 류승완 대한민국 대전시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0392485-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051612-70
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0480244-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 기판 상에 게이트 산화막과 폴리실리콘막, 하드마스크를 순차적으로 형성하는 단계;(b) 상기 하드마스크 상에 감광막을 도포한 후 포토마스크를 이용하여 게이트가 형성될 영역으로서 상기 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크를 패터닝하는 단계;(c) 상기 패터닝 후, 반도체 기판 상에 유전물질을 전면에 걸쳐 증착하고 비등방성 식각 공정을 이용하여 스페이서를 형성하는 단계;(d) 상기 스페이서를 중심으로 양쪽에 게르마늄(Ge)을 증착하는 단계;(e) 소스/드레인 영역을 형성하기 위해 상기 증착된 게르마늄에 불순물을 주입하는 단계;(g) 상기 불순물을 주입한 후, 후속열공정을 통하여 상기 게르마늄과 반도체 기판간의 경계면에 Si1-xGex층을 형성하고, 소스/드레인 영역을 활성화하는 단계; 를 포함하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 및 (c)단계에서 하드마스크와 스페이서를 형성할 유전물질은 산화막 또는 질화막을 이용하는 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서는 상기 반도체 기판과 하드마스크의 상면에 증착된 유전물질을 제거하여 반도체 기판이 외부로 노출되도록 하고, 상기 패터닝된 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크의 측부에 증착된 유전물질의 상단은 비스듬한 경사면을 갖도록 식각하는 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (g) 단계에서는 상기 Si1-xGex층이 상기 게르마늄과 반도체 기판간의 경계면으로부터 융기되어 상기 반도체 기판 내에 얕은 접합이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조 방법
5 5
반도체 기판 상에 증착된 게이트 산화막; 상기 게이트 산화막 상에 증착되어 게이트 전극용으로 사용될 폴리실리콘막;상기 폴리실리콘막 상에 증착된 하드마스크;상기 순차적으로 증착된 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크를 중심으로 양쪽의 반도체 기판 상에 형성된 게르마늄막;상기 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크의 측벽과, 상기 게르마늄막 사이에 형성되어 절연시키는 스페이서; 및 상기 게르마늄막과 반도체 기판간의 경계면에 형성되어 얕은 소스/드레인 접합 영역을 갖는 Si1-xGex 접합층을 포함하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터
6 6
제5항에 있어서, 상기 하드마스크와 스페이서는 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터
7 7
제5항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터
8 8
제5항에 있어서, 상기 Si1-xGex 접합층에는 소스/드레인 영역을 형성하기 위한 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터
9 9
제5항 또는 제8항에 있어서, 상기 Si1-xGex 접합층은 상기 게르마늄막과 반도체 기판간 경계면을 기준으로 상기 게르마늄막 내에 형성된 융기부와, 상기 반도체 기판 내에 형성된 접합부로 이루어져 융기된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.