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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118177
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력변환효율을 개선하고 원가 경쟁력이 있는 태양전지 및 그 제조방법을 위하여, 글래스 기판, 상기 글래스 기판 상에 배치되며 상기 글래스 기판과 반대쪽 표면이 텍스쳐링 처리되어 요철이 형성된 제1 도전성전극, 상기 제1 도전성전극과 접촉하는 복수의 나노입자들, 상기 제1 도전성전극 상에 배치되며 상기 복수의 나노입자들을 덮는 광활성층, 상기 광활성층 상의 반사방지층 및 상기 반사방지층 상의 제2 도전성전극을 포함하는, 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01)H01L 31/02366(2013.01)H01L 31/02366(2013.01)H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020120024094 (2012.03.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1315065-0000 (2013.09.30)
공개번호/일자 10-2013-0102902 (2013.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20131008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병주 대한민국 대전 서구
2 정호 대한민국 대전 유성구
3 배남호 대한민국 대전 유성구
4 강일석 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0190395-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0195893-68
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0034131-19
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0570064-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0454229-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0794950-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0794949-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0663964-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
글래스 기판;상기 글래스 기판 상에 배치되며 상기 글래스 기판과 반대쪽 표면이 텍스쳐링 처리되어 요철이 형성된 제1 도전성전극;상기 제1 도전성전극과 접촉하는 복수의 나노입자들;상기 제1 도전성전극 상에 배치되며 상기 복수의 나노입자들을 덮는 광활성층;상기 광활성층 상의 반사방지층; 및상기 반사방지층 상의 제2 도전성전극;을 포함하고,상기 광활성층은 p층, i층 및 n층이 연속적으로 적층된 PIN 구조체를 포함하고, 상기 복수의 나노입자들은 상기 p층 내에 매립된, 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 나노입자들은 스퍼터링에 의하여 형성된 금속 나노입자들을 포함하는, 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 나노입자들은 금 또는 은을 포함하는, 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 도전성전극은 투명전도전극으로서, 알루미늄 박막 또는 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide)을 포함하는, 태양전지
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
글래스 기판을 제공하는 단계;상기 글래스 기판 상에 제1 도전성전극을 형성하는 단계;상기 글래스 기판과 반대쪽 표면에 요철이 형성되도록 상기 제1 도전성전극을 텍스쳐링 처리하는 단계; 상기 제1 도전성전극 상에 스퍼터링에 의하여 복수의 나노입자들을 형성하는 단계;상기 제1 도전성전극 상에 상기 복수의 나노입자들을 덮도록 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 반사방지층을 형성하는 단계; 및상기 반사방지층 상에 제2 도전성전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 광활성층은 p층, i층 및 n층이 연속적으로 적층된 PIN 구조체를 포함하고, 상기 복수의 나노입자들은 상기 p층 내에 매립된, 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 복수의 나노입자들을 형성하는 단계는 광의 선택적 파장 흡수가 가능하도록 상기 복수의 나노입자들의 각각의 크기 및 이격거리를 제어하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 복수의 나노입자들의 각각의 크기 및 이격거리를 제어하는 단계는 스퍼터링 조건을 조절하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 스퍼터링 조건을 조절하는 단계는 스퍼터링 증착 시간을 조절하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 스퍼터링 조건을 조절하는 단계는 스퍼터링 파워, 스퍼터링 바이어스 전압 또는 캐리어 가스의 유량을 조절하는 단계를 포함하는, 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.