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단순 구조의 저전압/고주파 ＣＭＯＳ 전압 조절 발진기

  • 기술번호 : KST2015119114
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주파수 합성기(frequency synthesizer)나 클럭 신호 복원(timing recovery)용 위상 잠금 장치(phase-locked loop)에 주로 사용되는 단순 구조의 저전압/고주파 CMOS 전압 조절 발진기(voltage-controlled oscillator)에 관한 것이다. 환형 구조의 전압 제어 발진기를 구성하는 기본셀에 있어서, 상호 교차 결합된 한쌍의 PMOS 트랜지스터와, 상기 PMOS 트랜지스터의 각 소스 단자에 드레인 단자가 각각 연결되고 신호 입력 단자인 게이트 단자로 입력 신호가 인가되어 신호 출력 단자인 드레인 단자로 출력 신호를 내보내는 인버터 딜레이 구조를 이루는 한쌍의 NMOS 트랜지스터, 동작 주파수를 조절하기 위하여 상기 출력 단자에 각각의 드레인 단자가 연결되고 각각의 게이트 단자가 바이어스되어 외부 제어 전압에 의해 전류량이 조절되는 한쌍의 PMOS 트랜지스터를 이용하여, 저전압/저전력을 실현하는 동시에 광대역/고주파 발진이 가능하게 된다.
Int. CL H03L 7/08 (2006.01)
CPC H03L 7/099(2013.01) H03L 7/099(2013.01) H03L 7/099(2013.01)
출원번호/일자 1019990001576 (1999.01.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0316742-0000 (2001.11.23)
공개번호/일자 10-2000-0051246 (2000.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20011212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.01.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준서 대한민국 서울특별시강동구
2 김범섭 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1999-0003318-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.06 수리 (Accepted) 4-1-1999-0030399-30
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0074812-98
5 의견서
Written Opinion		 2001.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0127193-19
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0127192-63
7 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0316503-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

각 기본셀이 환형(ring) 구조로 연결되는 전압 제어 발진기를 구성하는 기본셀에 있어서,

상호 교차 결합된 한쌍의 PMOS 트랜지스터(M1,M2)와;

상기 PMOS 트랜지스터(M1,M2)의 각 소스 단자에 드레인 단자가 각각 연결되고 신호 입력 단자(A,B)인 게이트 단자로 입력 신호가 인가되어 신호 출력 단자(Abar, Bbar)인 드레인 단자로 출력 신호를 내보내는 인버터 딜레이 구조를 이루는 한쌍의 NMOS 트랜지스터(MA,MB)를 포함하는 것을 특징으로 하는 단순한 구조를 갖는 저전압/고주파 CMOS 전압 조절 발진기

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기본셀은 동작 주파수를 조절하기 위하여 상기 출력 단자(Abar, Bbar)에 각각의 드레인 단자가 연결되고 각각의 게이트 단자가 바이어스되어 외부 제어 전압에 의해 전류량이 조절되는 한쌍의 PMOS 트랜지스터(M3,M4)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단순한 구조를 갖는 저전압/고주파 CMOS 전압 조절 발진기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.