요약 | 본 발명은 고감도 투명 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 전극; 및 상기 투명 전극 상에 형성된 투명 가스 감지층을 포함하고, 상기 투명 가스 감지층은 투명 전극 상에 형성된 나노 기둥과, 상기 나노 기둥의 사이에 형성된 가스 확산 공극을 포함하는 나노주상구조를 가지는 투명 가스 센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 투명 기판 상에 투명 전극을 형성하는 제1단계; 상기 투명 전극 상에 투명 가스 감지층을 형성하는 제2단계를 포함하고, 상기 제2단계에서는 투명 가스 감지층을 투명 전극 상에 형성된 나노 기둥과, 상기 나노 기둥의 사이에 형성된 가스 확산 공극을 포함하는 나노주상구조를 가지도록 형성하는 투명 가스 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 투명성을 확보하여 투명 전자기기나 유리창 등의 투명 제품에 설치가 가능하고, 감도가 뛰어나 외부에서 어떠한 열을 가하지 않을 경우에도 우수한 가스 감응도를 갖는다. 그리고 소비 전력이 낮아 휴대폰과 같은 모바일 기기에도 장착이 가능하다. |
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Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) G01N 27/407 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020110132714 (2011.12.12) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1344738-0000 (2013.12.18) |
공개번호/일자 | 10-2013-0066047 (2013.06.20) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20131226) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.12.12) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 장호원 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
2 | 윤석진 | 대한민국 | 서울특별시 도봉구 |
3 | 김진상 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
4 | 강종윤 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
5 | 최지원 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
6 | 문희규 | 대한민국 | 경기도 평택시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김영철 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩) |
2 | 김 순 영 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0983621-49 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.12.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0004231-28 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0389822-68 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.07.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0605319-79 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.07.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0605318-23 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0873836-72 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 전극; 및 상기 투명 전극 상에 형성된 투명 가스 감지층을 포함하는 투명 가스 센서로서, 상기 투명 가스 감지층은 투명 전극 상에 경사지게 형성된 나노 기둥과, 상기 경사지게 형성된 나노 기둥의 사이에 형성된 가스 확산 공극을 포함하는 나노주상구조를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 나노 기둥은 투명 전극 상에 x-y 평면 방향으로 배열 형성되어 있되, x 및 y방향 중에서 어느 한 방향으로 배열된 나노 기둥의 사이에는 가스 확산 공극이 형성되고, 다른 방향으로 배열된 나노 기둥은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 경사지게 형성된 나노 기둥과 상기 전극 사이의 경사각은 60도 내지 89도인 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 투명 가스 감지층은, 밴드 갭이 2 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 투명 가스 감지층은 텅스텐 옥사이드(WO3), 주석 옥사이드(SnO2), 니오브 옥사이드(Nb2O5), 아연 옥사이드(ZnO), 인듐 옥사이드(In2O3), 철 옥사이드(Fe2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 코발트 옥사이드(Co2O3) 및 갈륨 옥사이드(Ga2O3)로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
7 |
7 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 투명 기판은 유리, 사파이어, 석영 또는 MgO 기판인 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
8 |
8 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 투명 전극은 금속 산화물 박막 또는 탄소 박막인 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 티타늄(Ti) 및 갈륨(Ga)으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
10 |
10 제8항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 인듐-주석 옥사이드(ITO), 플루오르-주석 옥사이드(FTO), 알루미늄-아연 옥사이드(AZO), 갈륨-아연 옥사이드(GZO), 인듐-아연 옥사이드(IZO) 및 니오브-티타늄 옥사이드(NTO)로부터 선택된 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
11 |
11 제8항에 있어서, 상기 탄소 박막은 그래핀(graphene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서 |
12 |
12 투명 기판 상에 투명 전극을 형성하는 제1단계; 상기 투명 전극 상에 투명 가스 감지층을 형성하는 제2단계를 포함하는 투명 가스 센서의 제조방법으로서, 상기 제2단계에서는 투명 가스 감지층을 투명 전극 상에 형성된 나노 기둥과, 상기 나노 기둥의 사이에 형성된 가스 확산 공극을 포함하는 나노주상구조를 가지도록 형성하되,상기 나노 기둥 형성 시, 상기 나노 기둥을 상기 전극에 대하여 경사지게 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 가스 센서의 제조방법 |
13 |
13 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08785924 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US09285332 | US | 미국 | FAMILY |
3 | US20130146865 | US | 미국 | FAMILY |
4 | US20140217404 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2013146865 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US8785924 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1344738-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20111212 출원 번호 : 1020110132714 공고 연월일 : 20131226 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131217 청구범위의 항수 : 11 유별 : G01N 27/407 발명의 명칭 : 고감도 투명 가스 센서 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2013년 12월 19일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2016년 12월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2017년 12월 01일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 141,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0983621-49 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.12.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0004231-28 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0389822-68 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.07.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0605319-79 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.07.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0605318-23 |
7 | 등록결정서 | 2013.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0873836-72 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1711008937 |
---|---|
세부과제번호 | 2E24001 |
연구과제명 | 차세대 신개념 전자소자 기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201101~201612 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345166178 |
---|---|
세부과제번호 | 2E2212 |
연구과제명 | 차세대 신개념 나노전자소자 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 기초기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201101~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415115510 |
---|---|
세부과제번호 | K0004114 |
연구과제명 | In-situ 공정에 의한 나노구조체 지능형 소재 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200807~201206 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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