요약 | 본 발명에 따른 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법은 플래티늄 소스, 아연 소스를 용매인 페닐 에테르(phenyl ether)에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; 상기 제1용액을 60oC 내지 100oC 까지 가열한 후 안정제로 쓰이는 계면활성제 올레이산, 올레이아민을 넣어주고 5분 내지 10분간 유지한 후 아이언 소스를 첨가하여 제2용액을 형성하는 단계; 상기 제2용액을 200oC 내지 250oC 까지 가열한 후 20분 내지 40분간 유지시켜 상기 제2용액에서 아연이 도핑된 아이언플래티늄의 핵생성하고 성장시켜 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말의 제조방법에 의하면 주로 테라급 나노소자로 사용되는 아이언플래티늄(FePt) 분말 아연을 불순물로 도핑하여 상 변태 온도를 낮출 수 있고, 핵/껍질 구조를 가지게 되어 소결과정을 막고 더불어 향상된 자성성질을 갖게 되어 소자의 응용에 용이한 효과가 있다. |
---|---|
Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
CPC | C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070072780 (2007.07.20) |
출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0929310-0000 (2009.11.23) |
공개번호/일자 | 10-2009-0009477 (2009.01.23) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20091127) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.07.20) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성윤모 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
2 | 김기은 | 대한민국 | 서울 송파구 |
3 | 이명기 | 대한민국 | 서울 도봉구 |
4 | 김강일 | 대한민국 | 서울 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인(유한) 대아 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0527280-72 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.06.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0032804-18 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.11.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0580336-09 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.01.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0034232-30 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.01.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0034233-86 |
8 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2009.04.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0166253-42 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2009.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0376612-19 |
11 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0428694-95 |
12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.07.21 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2009-0445003-10 |
13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.07.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0445004-66 |
14 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.11.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0459258-64 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 플래티늄 소스, 아연 소스를 용매인 페닐에테르(phenyl ether)에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; 상기 제1용액을 60oC 내지 100oC 까지 가열한 후 안정제로 쓰이는 계면활성제 올레이산, 올레이아민을 넣어주고 5분 내지 10분간 유지한 후 아이언 소스를 첨가하여 제2용액을 형성하는 단계; 상기 제2용액을 200oC 내지 250oC 까지 가열한 후 20분 내지 40분간 유지시켜 상기 제2용액에서 아연이 도핑된 아이언플래티늄의 핵생성하고 성장시켜 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 형성하는 단계를 포함하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 상온까지 온도를 낮춘 후, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 세척공정은 에탄올(Ethanol)과 헥산(Hexane) 용액을 번갈아 가면서 이용하며, 원심분리기(centrifugal separator)내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 플래티늄 소스로는 플래티늄 아세틸아세토네이트(Pt (acac)2)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 아연 소스로는 아연 아세틸아세토네이트(Zn (acac)2)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 제1용액에서 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스의 몰비(Pt:Zn)는 100:15~100:80인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 제1용액에서 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스의 몰비(Pt:Zn)는 100:50인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스에서 플래티늄과 아연으로 환원시키는 환원제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 환원제(reductant)는 헥사디카네디올(1,2-hexadecanediol)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 제1용액을 형성하는 단계에 있어서, 상기 아연소스와 플래티늄소스의 용해도를 증가시키는 탈리시키는 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 제1용액을 탈리(secession)시키는 단계에 있어서, 가열온도는 80~100℃를 제공하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
12 |
12 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 면심입방(FCC) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
13 |
13 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말에서 아연의 도핑량은 10 내지 20 atomic% 인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
14 |
14 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 300oC 내지 350oC에서 상변태되는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
15 |
15 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 4 내지 8nm의 구형 파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
16 |
16 제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말은 열처리 후 산화아이언 물질로 껍질을 형성하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0929310-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070720 출원 번호 : 1020070072780 공고 연월일 : 20091127 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091106 청구범위의 항수 : 16 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20151124 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2009년 11월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2012년 10월 04일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2013년 07월 17일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2014년 11월 13일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.07.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0527280-72 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2008.06.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0032804-18 |
5 | 의견제출통지서 | 2008.11.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0580336-09 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.01.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0034232-30 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.01.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0034233-86 |
8 | 최후의견제출통지서 | 2009.04.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0166253-42 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2009.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0376612-19 |
11 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0428694-95 |
12 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.07.21 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2009-0445003-10 |
13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.07.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0445004-66 |
14 | 등록결정서 | 2009.11.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0459258-64 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345096817 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2001 |
연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1340010230 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2001 |
연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~201202 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
[1020090104607] | 실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020090104606] | 실리콘 이종접합 태양전지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090092094] | 멀티 비트 저항 소자 | 새창보기 |
[1020090079427] | 열적안정성을 고려한 고밀도 자기 메모리 셀 설계 방법 | 새창보기 |
[1020090074424] | 냉각성능이 향상된 코일 구조를 가지는 인덕션 레인지 | 새창보기 |
[1020090073651] | 고체산화물 연료전지용 고체전해질 제조 방법 및 이를 이용한 고체산화물 연료전지 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090064355] | 나노 기공성 구조의 산화코발트를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090051865] | 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 광전자 소자 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090048612] | 3차원 임프린트 및 리프트 오프 공정을 이용한 교차형 상변환 소자 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 교차형 상변환 소자 | 새창보기 |
[1020090046624] | 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법 | 새창보기 |
[1020090046622] | 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법 | 새창보기 |
[1020090046606] | 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법 | 새창보기 |
[1020090037593] | 자기 메모리 소자 | 새창보기 |
[1020090036208] | 인덕션 레인지 | 새창보기 |
[1020090033257] | 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점, 그 제조 방법 및 이를 이용하여 혈소판 유래 생산 인자의 농도를 검출하는 방법 | 새창보기 |
[1020090023328] | 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020090017441] | 고효율 도광판 | 새창보기 |
[1020090017291] | 마이크로파 유전체 세라믹스 조성물 및 이를 이용한 마이크로파 유전체 세라믹스 제조방법 | 새창보기 |
[1020090017290] | 마이크로파 유전체 세라믹스 조성물 및 이를 이용한 마이크로파 유전체 세라믹스 제조방법 | 새창보기 |
[1020090014354] | 3층막구조의 합성 페리자성체로 이루어진 나노구조 셀의 열적 안정성 계수 측정 방법 | 새창보기 |
[1020090014098] | 연료전지용 분리판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090010334] | 마이크로파 유전체 세라믹스 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090008641] | 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090007160] | 부식 측정 장치 및 이를 이용한 부식 측정 방법 | 새창보기 |
[1020090006407] | 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 합성수지판 | 새창보기 |
[1020090003914] | 구리가 도핑된 티타니아 나노라드 및 이를 제조하는 방법 | 새창보기 |
[1020080019276] | 산화아연 양자점 제조 방법 및 이를 이용하여 형성한 혈당센서 | 새창보기 |
[1020080010408] | 가스센서 제조 방법 | 새창보기 |
[1020080008104] | 나노 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한나노 패턴 형성 방법 | 새창보기 |
[1020080002594] | 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조 방법,이를 이용한 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법 및상기 단일층 나노스피어 패턴을 이용한 응용방법 | 새창보기 |
[1020070141890] | PTFE 코팅용액의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070141269] | 계층적 구조를 이용한 고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형가스 센서 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070140855] | 복합 임프린팅 스탬프 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070135822] | 졸-겔 코팅법을 사용하여 지르코니아를 코팅한 연료전지분리판의 제조방법과 이를 이용한 연료전지 분리판, 및이를 이용한 연료전지 | 새창보기 |
[1020070126001] | 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자 | 새창보기 |
[1020070120235] | 쾌속 반응 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070115242] | 더미 나노 패턴을 구비한 나노 임프린트용 스탬프 및 이를이용한 나노 임프린팅 방법 | 새창보기 |
[1020070114507] | 연료전지 분리판과 이의 제조방법, 및 이를 이용한연료전지 | 새창보기 |
[1020070109857] | 광신호 검출기의 제조방법 및 그로부터 제조된 광신호검출기 | 새창보기 |
[1020070108604] | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070108602] | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070096966] | 고효율 태양전지 | 새창보기 |
[1020070096966] | 고효율 태양전지 | 새창보기 |
[1020070096084] | 초격자상을 포함하는 Cu-Zr 2원계 복합재 및 그제조방법 | 새창보기 |
[1020070082913] | 산화아연-은 나노합성물 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070073493] | 마그네슘이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070072801] | 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 형성방법 | 새창보기 |
[1020070072780] | 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070070467] | 연료전지용 분리판 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070070465] | 2차전지 및 이를 구비한 반도체 | 새창보기 |
[1020070061521] | 나노 임프린트 리소그래피 | 새창보기 |
[1020070057577] | 마이크로-나노 금속 구조물의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070056873] | 발광소자 | 새창보기 |
[1020070056872] | 수직형 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070056871] | 수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020070051747] | 광촉매용 티타니아산화층의 제조방법 및 이에 의해 제조된광촉매용 티타니아산화층 | 새창보기 |
[1020070040977] | 티타니아 나노와이어 형성방법 | 새창보기 |
[1020070036925] | 태양전지의 실리콘 표면 텍스쳐링 방법 | 새창보기 |
[1020070022508] | 선격자 편광판 제조방법 | 새창보기 |
[1020070009690] | 산화아연 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 분포되어있는 형태의 발광 나노와이어 이종구조 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070007701] | 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법 | 새창보기 |
[1020070000997] | 자성체 코어 - 세라믹 쉘 나노 결정 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020060139195] | 나노스탬프 제조방법 | 새창보기 |
[1020060056373] | 질화물계 발광소자의 제조방법 | 새창보기 |
[1020060048542] | 육각형의 나노 판상 다이아몬드 형성방법 | 새창보기 |
[1020060044726] | 양파모양탄소입자 분산액의 제조방법 | 새창보기 |
[1020060010445] | 편광용 또는 정보보호용 필름의 제조기술 | 새창보기 |
[1020050120831] | 유무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020050105701] | 염료감응태양전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020030047273] | 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 p형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015131889][고려대학교] | 촉매 제조 방법 및 탄소나노튜브의 합성방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015132714][고려대학교] | 글라임을 이용한 금속 나노입자의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015132008][고려대학교] | 금 나노입자 클러스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015131143][고려대학교] | 육각형의 나노 판상 다이아몬드 형성방법 | 새창보기 |
[KST2016014002][고려대학교] | 나노다공성 고분자 멤브레인 및 그 제조방법(Nanoporous polymer membrane and preparation method thereof) | 새창보기 |
[KST2015012416][고려대학교] | 저마늄 합금 나노 입자의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015133420][고려대학교] | 생체분자를 기반으로 하는 금속 나노구조물의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015131846][고려대학교] | 전자파차폐 효율이 우수한 고분자/탄소나노튜브 복합체의 제조방법과 이를 이용하여 제조된 고분자/탄소나노튜브 복합체 | 새창보기 |
[KST2015134563][고려대학교] | 용액합성법을 이용한 테이퍼 모양의 황화주석 나노라드의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2016014134][고려대학교] | 형광 및 자성을 갖는 코어-쉘 나노체인 구조체 및 그의 제조방법(Fluorescent and magnetic core-shell nanochain structures and preparation method thereof) | 새창보기 |
[KST2015131876][고려대학교] | 코어―셀 구조의 타겟물질 표지용 나노복합체 및 이를 이용한 표지방법 | 새창보기 |
[KST2015012154][고려대학교] | 직접 메탄올 연료전지 촉매용 멀티포트 구조의 나노 와이어 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015012089][고려대학교] | 주석 칼코제나이드 나노 구조물의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015133839][고려대학교] | 콜로이드 법을 이용한 카파 틴 셀레나이드 나노결정의 제조방법, 이와 같이 제조된 카파 틴 셀레나이드 나노결정 및 이를 이용한 광전지 | 새창보기 |
[KST2015011299][고려대학교] | 화학 기상 증착법을 통한 아나타제 이산화티타늄 나노판의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015132660][고려대학교] | 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점으로 코팅된 산화아연 나노로드 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014053831][고려대학교] | 펩티드 분리용 나노입자, 그 제조방법 및 이를 이용한 펩티드 분리방법 | 새창보기 |
[KST2015132847][고려대학교] | 탄소나노튜브의 n-도핑 재료와 n-도핑 방법, 및 이를 이용한 소자 | 새창보기 |
[KST2015132741][고려대학교] | 기능성 나노 전분 복합체 및 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015133357][고려대학교] | 계층적 나노구조를 가진 중공형 탄소 캡슐 및 이를 이용한 슈퍼캐패시터 | 새창보기 |
[KST2015133100][고려대학교] | 양자점이 혼합된 나노선 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015134175][고려대학교] | 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조 방법,이를 이용한 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법 및상기 단일층 나노스피어 패턴을 이용한 응용방법 | 새창보기 |
[KST2015133551][고려대학교] | 나노 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 나노 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015012390][고려대학교] | 캡슐화된 자성 코어/쉘 나노입자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015132742][고려대학교] | 열수 처리에 의한 유기 나노 입자의 광학적 특성 개질 방법 및 이에 의해 제조된 유기 나노 입자를 포함하는 광전자 소자 | 새창보기 |
[KST2015133455][고려대학교] | 다기능성 나노입자 콜로이드 기반 유체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015132224][고려대학교] | 수용액과 전기화학적 방법에 의한 금속 산화물 나노막대의 선택적인 성장 방법 | 새창보기 |
[KST2015132257][고려대학교] | 금속화합물 나노구조물 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015131064][고려대학교] | 산화아연 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 분포되어있는 형태의 발광 나노와이어 이종구조 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015134642][고려대학교] | 티타니아/카드뮴 셀레나이드 나노구조물 형성방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|