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아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131334
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법은 플래티늄 소스, 아연 소스를 용매인 페닐 에테르(phenyl ether)에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; 상기 제1용액을 60oC 내지 100oC 까지 가열한 후 안정제로 쓰이는 계면활성제 올레이산, 올레이아민을 넣어주고 5분 내지 10분간 유지한 후 아이언 소스를 첨가하여 제2용액을 형성하는 단계; 상기 제2용액을 200oC 내지 250oC 까지 가열한 후 20분 내지 40분간 유지시켜 상기 제2용액에서 아연이 도핑된 아이언플래티늄의 핵생성하고 성장시켜 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말의 제조방법에 의하면 주로 테라급 나노소자로 사용되는 아이언플래티늄(FePt) 분말 아연을 불순물로 도핑하여 상 변태 온도를 낮출 수 있고, 핵/껍질 구조를 가지게 되어 소결과정을 막고 더불어 향상된 자성성질을 갖게 되어 소자의 응용에 용이한 효과가 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01) C22C 38/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070072780 (2007.07.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0929310-0000 (2009.11.23)
공개번호/일자 10-2009-0009477 (2009.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20091127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김기은 대한민국 서울 송파구
3 이명기 대한민국 서울 도봉구
4 김강일 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0527280-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0032804-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0580336-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0034232-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0034233-86
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0166253-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0376612-19
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428694-95
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0445003-10
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0445004-66
14 등록결정서
Decision to grant
2009.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0459258-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플래티늄 소스, 아연 소스를 용매인 페닐에테르(phenyl ether)에 용해시켜 제1용액을 형성하는 단계; 상기 제1용액을 60oC 내지 100oC 까지 가열한 후 안정제로 쓰이는 계면활성제 올레이산, 올레이아민을 넣어주고 5분 내지 10분간 유지한 후 아이언 소스를 첨가하여 제2용액을 형성하는 단계; 상기 제2용액을 200oC 내지 250oC 까지 가열한 후 20분 내지 40분간 유지시켜 상기 제2용액에서 아연이 도핑된 아이언플래티늄의 핵생성하고 성장시켜 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 형성하는 단계를 포함하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 상온까지 온도를 낮춘 후, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 분말을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 세척공정은 에탄올(Ethanol)과 헥산(Hexane) 용액을 번갈아 가면서 이용하며, 원심분리기(centrifugal separator)내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 플래티늄 소스로는 플래티늄 아세틸아세토네이트(Pt (acac)2)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 아연 소스로는 아연 아세틸아세토네이트(Zn (acac)2)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제1용액에서 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스의 몰비(Pt:Zn)는 100:15~100:80인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제1용액에서 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스의 몰비(Pt:Zn)는 100:50인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 플래티늄 소스와 상기 아연 소스에서 플래티늄과 아연으로 환원시키는 환원제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 환원제(reductant)는 헥사디카네디올(1,2-hexadecanediol)인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 제1용액을 형성하는 단계에 있어서, 상기 아연소스와 플래티늄소스의 용해도를 증가시키는 탈리시키는 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제1용액을 탈리(secession)시키는 단계에 있어서, 가열온도는 80~100℃를 제공하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 면심입방(FCC) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말에서 아연의 도핑량은 10 내지 20 atomic% 인 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 300oC 내지 350oC에서 상변태되는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄(Zn:FePt) 나노분말은 4 내지 8nm의 구형 파우더로 형성되는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
16 16
제 1항에 있어서, 상기 아연이 도핑된 아이언플래티늄 나노분말은 열처리 후 산화아이언 물질로 껍질을 형성하는 것을 특징으로 하는 아연이 도핑된 아이언플래티늄 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.