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플라즈마 처리를 통한 자성 탄소 나노입자 라벨 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134886
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수십에서 수백 나노미터 크기의 자성 탄소나노입자에 다양한 가스의 플라즈마 처리를 통하여 표면을 개질하고, 다양한 표적(target)물질을 플라즈마 처리된 자성나노입자의 표면에 흡착하거나, 기공 내로 도입하여, 재사용이 가능한 라벨(label)을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 다양한 가스의 플라즈마를 이용하여 자성 탄소나노입자의 표면을 여러 작용기를 가지게 개질할 수 있는 장점을 가지며, 형광물질과 같은 표적물질을 유도 상분리 방법에 의해 큰 표면적을 가지는 다공성 구형 탄소 나노입자의 표면에 흡착시키거나 마이크로 기공내로 투입할 수 있는 장점을 가진다. 더욱이, 플라즈마 처리된 자성 탄소 나노입자는 물에서 분산이 잘되는 장점을 가지며, 자력을 이용하여 유도가 가능하여 분산된 입자를 쉽게 수거가 가능하다. 자성 탄소 나노입자, 플라즈마 처리, 라벨
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) C01B 31/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020080103399 (2008.10.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1099148-0000 (2011.12.20)
공개번호/일자 10-2010-0044315 (2010.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20111227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장정식 대한민국 서울특별시 관악구
2 오완규 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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최종권리자

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1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0731735-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.08.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2010-0054926-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603389-40
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0132438-63
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0205590-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0303929-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0396782-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0396795-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701051-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
20 내지 200 나노미터의 크기를 가지는 자성 탄소 나노입자를 플라즈마 처리 공정을 통해 표면처리하는 단계; 플라즈마 처리된 자성 탄소 나노입자를 초음파 처리를 통해 수용액상에 분산시키는 단계;및, 유기물질에 녹인 표적물질을 투입하여 증류수에 분산된 자성 탄소 나노입자안으로 도입시키는 단계;및 자성을 이용하여 표적물질이 도입된 자성 탄소 나노입자들을 회수하는 단계로 포함하는 것을 특징으로 한 플라즈마 처리를 이용한 자성 탄소 나노입자의 라벨 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 플라즈마 처리공정시, 캐리어 가스는 산소가스, 암모니아가스, 질소가스, 메탄가스인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 플라즈마 처리공정시, 전력이 50-100 왓트(W)인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 플라즈마 처리공정시, 캐리어 가스 투입속도는 5-50 cmmin-1인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 플라즈마 처리공정 시간이 30-600 초(sec) 인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 표적 물질이 파이렌, 파이렌뷰트릭에시드, 파이렌설포닉에시드, 로다민 6G인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 자성 탄소 나노입자들의 부가량은 표적물질의 중량대비 200~1,000 퍼센트인 것을 특징으로 하는 라벨 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리된 자성 탄소 나노입자의 표적물질 도입시간은 2-48시간인 것을 특징으로 하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 차세대소재성형기술개발사업 센서용 고감응 고분자 복합재 트랜스듀서개발