| 1 |
1
무기물 또는 고분자 코어 입자; 및 상기 코어 입자의 표면에 결합된 복수의 양자점 나노입자를 포함하고, 상기 코어 입자의 직경이 50 nm 내지 1,000 μm이고 상기 양자점 나노입자의 직경은 1 nm 내지 20 nm인, 양자점 함유 입자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 무기물 코어 입자가 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 고분자 코어 입자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 코어 입자와 상기 양자점 나노입자가 공유결합, 이온결합 및 물리적 흡착으로 이루어진 군에서 선택되는 결합에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 공유결합이, 한쪽에 상기 양자점 나노입자와 결합하는 황, 질소 또는 인 중 어느 하나의 원자를 포함하고 다른 한쪽에 상기 코어 입자와 결합하는 작용기에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 작용기가 실란기, 아미노기, 설폰기, 카르복시기 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 양자점 나노입자가, II-VI족 계열의 반도체, III-V족 계열의 반도체 및 IV-IV족 계열의 반도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 단일 코어 구조이거나, 상기 단일 코어 구조에 II-VI족 계열의 반도체가 캡핑된 코어/쉘 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 양자점 함유 입자를 피복하는 무기물 또는 고분자 껍질을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 무기물이 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 고분자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 양자점 함유 입자와, 상기 무기물 또는 고분자 껍질이 공유결합, 이온결합 및 물리적 흡착으로 이루어진 군에서 선택되는 결합에 의하여 결합되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 공유결합이, 한쪽에 상기 양자점 나노입자와 결합하는 황, 질소 또는 인 중 어느 하나의 원자를 포함하고 다른 한쪽에 상기 코어 입자 또는 상기 무기물 또는 고분자 껍질과 결합하는 작용기에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자
|
| 15 |
15
공유결합, 이온결합 또는 물리적 흡착을 통하여 친수성 유기용매 내에서 직경이 50 nm 내지 1,000 μm인 코어 입자에, 직경이 1 nm 내지 20 nm인 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계를 포함하는, 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 공유결합, 이온결합 또는 물리적 흡착을 통하여 상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를 무기물 또는 고분자로 피복하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 코어 입자가 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 코어 입자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
제15항에 있어서, 상기 양자점 나노입자가, II-VI족 계열의 반도체, III-V족 계열의 반도체 및 IV-IV족 계열의 반도체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 단일 코어 구조이거나, 상기 단일 코어 구조에 II-VI족 계열의 반도체가 캡핑된 코어/쉘 구조인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
제15항에 있어서, 상기 공유결합을 통하여 친수성 유기용매 내에서 코어 입자에 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계가,(i) 한쪽에 포스핀기, 아민기 및 티올기로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고 다른 한쪽에 친수성 치환기를 포함하는 반응성 화합물과 코어 입자를 친수성 유기용매 내에서 반응시켜 상기 코어 입자의 표면을 개질하는 단계; 및(ii) 상기 친수성 유기용매에 양자점 나노입자를 첨가하여 상기 코어 입자의 표면에 복수의 양자점 나노입자를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 23 |
23
제16항에 있어서, 상기 공유결합을 통하여 상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를 무기물 또는 고분자 껍질로 피복하는 단계가,상기 양자점 나노입자가 결합된 코어 입자를, 한쪽에 포스핀기, 아민기 및 티올기로 이루어진 군으로부터 선택되는 작용기를 포함하고 다른 한쪽에 친수성 치환기를 포함하는 반응성 화합물과 반응시켜 표면을 개질하는 단계; 및상기 개질된 표면에 무기물 또는 고분자를 반응시켜 껍질을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 24 |
24
제22항에 있어서, 상기 친수성 치환기가 실란기, 아미노기, 설폰기, 카르복시기, 이소시안기, 아지드기, 카벤기 및 하이드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 25 |
25
제22항에 있어서, 상기 친수성 치환기가 실란기인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 26 |
26
제23항에 있어서, 상기 껍질을 형성시키는 단계가 테트라에톡시실란 용액을 첨가하여 실리카 껍질을 형성하는 것임을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 27 |
27
제16항 또는 제23항에 있어서, 상기 무기물이 실리카, 알루미나(Al2O3, AlO2), 이산화티타늄 및 이산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
| 28 |
28
제16항 또는 제23항에 있어서, 상기 고분자가 폴리스티렌 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 양자점 함유 입자 제조 방법
|
