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기상 증착 중합을 이용한 폴리양이온 나노 입자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137348
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기상 증착 중합(vapor deposition polymerization) 방법을 통하여 항균력을 갖는 나노미터 크기의 폴리양이온(polycation) 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 소수성으로 표면 개질화된 나노미터 크기의 실리카 입자의 표면에 라디칼 개시제를 첨가하여 진공 상태로 감압한 후, 액상이나 고상의 양이온 단량체를 첨가하여 기상으로 형성한 뒤, 기상의 양이온 단량체를 실리카 나노 입자 표면에서 중합 반응을 유도하여 나노미터 크기의 폴리양이온 입자를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기상 증착 중합 방법을 이용하여 항균력을 갖는 나노미터 크기의 폴리양이온 입자를 쉽게 제조할 수 있으며, 저렴한 제조 단가 및 용이한 중합 조건으로 제조가 가능한 장점을 가진다. 본 발명을 통해 제조가 가능한 나노미터 크기의 폴리양이온 입자는 기존의 방법으로는 시도되지 않았던 고분자 나노 입자의 대량생산이 가능하며 더욱이, 본 발명에서 제조될 수 있는 폴리양이온 나노 입자는 그 크기와 모양을 조절할 수 있다는 장점을 갖는다. 항균, 폴리양이온, 기상 증착 중합
Int. CL C01B 33/12 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090107170 (2009.11.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0050264 (2011.05.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장정식 대한민국 서울특별시 관악구
2 송주영 대한민국 서울특별시 관악구
3 공혜영 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0684522-99
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0306203-79
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0591483-06
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0591491-61
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0597454-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0597197-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.02 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0597036-40
8 보정요구서
Request for Amendment		 2011.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0071263-09
9 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0084284-51
10 보정요구서
Request for Amendment		 2011.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0084800-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2011.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0096021-97
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0751086-38
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0257284-52
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카 나노 입자의 표면을 소수성으로 개질화 하는 단계; 상기 개질화된 실리카 나노 입자의 표면에 라디칼 개시제를 첨가한 후 감압시키는 단계; 및, 상기 개시제가 첨가된 실리카 나노 입자에 양이온 단량체를 첨가하고 온도를 높여 단량체를 기화시켜 실리카 나노 입자 표면에서 양이온 단량체의 중합을 유도하는 단계; 및, 상기 중합이 끝난 반응물에서 미반응 기상 단량체를 빼내어 제거한 후 폴리양이온 나노 입자를 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 항균력을 갖고 인체 무해한 폴리양이온 나노 입자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 사용되는 개질화 물질은 실란계 물질로 하는 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 폴리양이온 단량체는 항균력을 갖는 양이온 관능기를 지닌인체 무해한 양이온 단량체인 것을 특징으로 하는 제조 방법
4 4
제1항에서, 상기 진공 상태는 10-10-6torr인 것을 특징으로 하는 제조 방법
5 5
제1항에 있어, 상기 중합 온도는 섭씨 1도에서 300도인 것을 특징으로 하는 제조 방법
6 6
제1항에서, 상기 중합 시간이 1분에서 24시간인 것을 특징으로 하는 제조 방법
7 7
제1항에 있어, 제조되는 폴리양이온 나노 입자의 크기는 1에서 100 나노미터 크기인 것을 특징으로 하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 21C프론티어기술개발사업 센서용 고감응 고분자 복합재 트랜스듀서 개발